[發(fā)明專(zhuān)利]發(fā)光基板及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202111051467.5 | 申請(qǐng)日: | 2021-09-08 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113745394B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-10-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陸驊俊;趙斌;肖軍城 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | TCL華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L33/62 | 分類(lèi)號(hào): | H01L33/62;H01L33/48;H01L33/60;H01L33/58 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 官建紅 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光 及其 制備 方法 | ||
1.一種發(fā)光基板的制備方法,其特征在于,包括:
提供第一基板,所述第一基板包括底板與焊盤(pán)組件,所述焊盤(pán)組件安裝于所述底板的安裝面上;
在所述底板的所述安裝面上形成溝槽,所述溝槽設(shè)于所述焊盤(pán)組件的外圍;
在所述底板的所述安裝面上位于所述溝槽外圍的位置施加阻焊油墨,以形成阻焊油墨層,所述阻焊油墨層包括位于所述溝槽外圍的第一油墨層以及位于所述溝槽內(nèi)的第二油墨層;
提供LED芯片,將所述LED芯片與所述焊盤(pán)組件連接在一起。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光基板的制備方法,其特征在于,所述在所述底板的所述安裝面上形成溝槽包括:向所述底板的所述安裝面照射激光,以在所述底板的所述安裝面上形成所述溝槽。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光基板的制備方法,其特征在于,所述第一基板還包括設(shè)于所述底板的所述安裝面上的導(dǎo)線,所述導(dǎo)線與所述焊盤(pán)組件連接,所述溝槽在所述導(dǎo)線的位置斷開(kāi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光基板的制備方法,其特征在于,所述焊盤(pán)組件包括間隔設(shè)置的第一焊盤(pán)與第二焊盤(pán),所述溝槽的內(nèi)邊緣與所述第一焊盤(pán)的外邊緣之間的距離為5μm~15μm,所述溝槽的內(nèi)邊緣與所述第二焊盤(pán)的外邊緣之間的距離為5μm~15μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光基板的制備方法,其特征在于,所述在所述底板的所述安裝面上位于所述溝槽外圍的位置施加阻焊油墨包括:
在所述安裝面上距離所述溝槽的外邊緣大于0且小于5μm范圍內(nèi)的位置處施加阻焊油墨。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的發(fā)光基板的制備方法,其特征在于,所述溝槽的寬度為30μm~60μm,所述溝槽的深度為15μm~45μm。
7.一種發(fā)光基板,其特征在于,包括:
底板,所述底板具有安裝面;
焊盤(pán)組件,安裝于所述底板的所述安裝面上;
阻焊油墨層,設(shè)置于所述底板的所述安裝面上;
所述底板的所述安裝面上設(shè)有溝槽,所述溝槽設(shè)于所述焊盤(pán)組件的外圍,所述阻焊油墨層包括位于所述溝槽外圍的第一油墨層和位于所述溝槽內(nèi)的第二油墨層;
LED芯片,所述LED芯片與所述焊盤(pán)組件連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光基板,其特征在于,所述發(fā)光基板還包括設(shè)于所述底板的所述安裝面上的導(dǎo)線,所述導(dǎo)線與所述焊盤(pán)組件連接,所述溝槽在所述導(dǎo)線的位置斷開(kāi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光基板,其特征在于,所述焊盤(pán)組件包括間隔設(shè)置的第一焊盤(pán)與第二焊盤(pán),所述溝槽的內(nèi)邊緣與所述第一焊盤(pán)的外邊緣之間的距離為5μm~15μm,所述溝槽的內(nèi)邊緣與所述第二焊盤(pán)的外邊緣之間的距離為5μm~15μm。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光基板,其特征在于,所述溝槽的寬度為30μm~60μm,所述溝槽的深度為15μm~45μm。
11.根據(jù)權(quán)利要求7-10中任一項(xiàng)所述的發(fā)光基板,其特征在于,所述第一油墨層的厚度為15μm~45μm,所述第二油墨層的厚度為15μm~45μm。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件;專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備;這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的,例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件
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