[發明專利]一種OLED陣列基板及其制備方法、顯示器

有效

• 申請號: 201410087714.0
• 申請日: 2014-03-11
• 公開（公告）號: CN103943655A
• 公開（公告）日: 2014-07-23
• 發明（設計）人: 張玉婷;吳俊緯
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種OLED陣列基板，包括有效像素顯示區和外圍布線區；其特征在于，所述有效像素顯示區包括設置在襯底基板上的薄膜晶體管、依次設置在所述薄膜晶體管遠離所述襯底基板一側的第一電極、有機材料功能層、以及透明的第二電極；

所述陣列基板還包括：設置在所述襯底基板和所述第一電極之間且位于同一層的多根金屬線；

其中，所述多根金屬線均位于所述有效像素顯示區和所述外圍布線區，且在所述外圍布線區，所述多根金屬線與所述第二電極連接。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管包括第一柵極，且相對所述薄膜晶體管的源極和漏極，所述第一柵極靠近所述第一電極設置；

所述第一柵極與所述多根金屬線同層設置且相互絕緣。

3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括設置在所述第一柵極與所述第一電極之間的有機絕緣層。

4.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括與所述第一柵極垂直對應的第二柵極，且相對所述源極和所述漏極，所述第二柵極靠近所述襯底基板設置。

5.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括設置在所述第一柵極和所述第二柵極之間的金屬氧化物半導體有源層。

6.根據權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述金屬氧化物半導體有源層包括第一金屬氧化物半導體有源層和第二金屬氧化物半導體有源層；

其中，所述第一金屬氧化物半導體有源層靠近所述第一柵極設置，所述第二金屬氧化物半導體有源層靠近所述第二柵極設置，且所述第一金屬氧化物半導體有源層和所述第二金屬氧化物半導體有源層通過源極和漏極之間的間隙接觸。

7.根據權利要求1至6任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述第一電極與所述薄膜晶體管的漏極電連接。

8.根據權利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述第一電極至少包括金屬導電層。

9.一種OLED顯示器，其特征在于，包括權利要求1至8任一項所述的OLED陣列基板，以及封裝層。

10.一種OLED陣列基板的制備方法，其特征在于，包括：在襯底基板的有效像素顯示區形成薄膜晶體管；在形成有所述薄膜晶體管的基板上依次形成第一電極、有機材料功能層、以及透明的第二電極；

所述方法還包括：在所述襯底基板和所述第一電極之間形成位于同一層的多根金屬線；

其中，所述多根金屬線均位于所述有效像素顯示區和所述外圍布線區，且在所述外圍布線區，所述多根金屬線與所述第二電極連接。

11.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，所述薄膜晶體管包括第一柵極，且相對所述薄膜晶體管的源極和漏極，所述第一柵極靠近所述第一電極；

所述形成位于同一層的多根金屬線，包括：

在形成所述第一柵極的同時形成所述多根金屬線，所述第一柵極與所述多根金屬線相互絕緣。

12.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，在形成所述第一柵極、與所述第一柵極同層的所述多根金屬線之后，形成所述第一電極之前，所述方法還包括形成有機絕緣層。

13.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括與所述第一柵極垂直對應的第二柵極，且相對所述源極和所述漏極，所述第二柵極靠近所述襯底基板。

14.根據權利要求10至13任一項所述的方法，其特征在于，所述在襯底基板上形成薄膜晶體管，包括：

在所述襯底基板上依次形成第二柵極、第二絕緣層、第二金屬氧化物半導體有源層、源極和漏極、第一金屬氧化物半導體有源層、第一絕緣層、以及第一柵極；其中，所述第一金屬氧化物半導體有源層通過所述源極和所述漏極之間的間隙與所述第二金屬氧化物半導體有源層接觸。