[發(fā)明專利]一種半導體器件及其制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202110998301.8
• 申請日: 2021-08-27
• 公開（公告）號: CN113871291A
• 公開（公告）日: 2021-12-31
• 發(fā)明（設計）人: 周國;廖龍忠;楊志虎;劉亞亮;高昶;張力江
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/48;H01L23/49
• 代理公司: 石家莊國為知識產(chǎn)權事務所 13120
• 代理人: 彭競馳

1.一種半導體器件的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

在晶圓表面用電鍍方法完成金屬布線，形成底部為倒角結構的電鍍布線層；

在晶圓表面涂覆一層光敏聚合物并進行第一次高溫固化，形成覆蓋電鍍布線層底部倒角結構的光敏聚合物層；

利用電鍍布線層作為掩膜進行泛曝光顯影，以去掉光敏聚合物層在倒角區(qū)域之外的光敏聚合物，然后再對保留的倒角區(qū)域內(nèi)的光敏聚合物進行第二次高溫固化；

在晶圓表面淀積介質膜保護層，所述介質膜保護層覆蓋所述電鍍布線層及光敏聚合物層的外表面；

刻蝕電極區(qū)域介質膜保護層，露出電極區(qū)域金屬表面。

2.如權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述第二次高溫固化的溫度高于第一次高溫固化的溫度。

3.如權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述第二次高溫固化的溫度范圍為200℃-350℃。

4.如權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述光敏聚合物層的厚度范圍為0.2μm-2μm。

5.如權利要求1至4任一項所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，淀積所述介質膜保護層的材料包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。

6.如權利要求5所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述介質膜保護層的厚度范圍為0.5μm-1μm。

7.如權利要求6所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述刻蝕電極區(qū)域介質膜保護層的方法包括涂膠、光刻對準、掩膜曝光、顯影和反應離子刻蝕。

8.一種半導體器件，包括襯底，所述襯底上方是電鍍布線層，所述電鍍布線層上方是介質膜保護層，所述電鍍布線層底部有倒角結構，所述電鍍布線層底部倒角結構與襯底之間形成楔形夾角的倒角區(qū)域，所述的介質膜保護層電極區(qū)域露出電極金屬表面，其特征在于，所述倒角區(qū)域內(nèi)設置了光敏聚合物層。

9.如權利要求8所述的半導體器件，其特征在于，所述光敏聚合物層經(jīng)兩次高溫固化形成，所述第二次高溫固化的溫度高于所述第一次高溫固化的溫度，所述第二次高溫固化的溫度范圍為200℃-350℃。

10.如權利要求9所述的半導體器件，其特征在于，所述介質膜保護層的厚度范圍為0.5μm-1μm。