[發明專利]一種高速響應全透明柔性紫外光電探測器的制備方法

在審

• 申請號: 202110991029.0
• 申請日: 2021-08-26
• 公開（公告）號: CN115719777A
• 公開（公告）日: 2023-02-28
• 發明（設計）人: 李遠潔;朱瑄;吳超
• 申請（專利權）人: 西安交通大學深圳研究院;西安交通大學
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;C23C14/35;C23C14/08;C23C14/04
• 代理公司: 北京市誠輝律師事務所 11430
• 代理人: 朱偉軍;耿慧敏

1.一種高速響應全透明柔性紫外光電探測器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1：利用射頻磁控濺射沉積法在柔性透明PI襯底上生長ZnO光敏薄膜或InGaZnO光敏薄膜；

所述ZnO光敏薄膜的生長參數為：柔性透明PI襯底的加熱溫度為150-240℃，濺射功率為110-130W，氬氣流量為15-24sccm；

所述InGaZnO光敏薄膜的生長參數為：濺射功率為110-130W，氬氣流量為15-24sccm，氧氣流量為2-5sccm；

步驟2：將叉指電極掩模版緊貼在所述ZnO光敏薄膜或InGaZnO光敏薄膜上；利用射頻磁控濺射沉積法在被叉指電極掩模版覆蓋的ZnO光敏薄膜或InGaZnO光敏薄膜表面之上沉積透明導電電極薄膜；

步驟3：移除叉指電極掩模版，最終獲得全透明柔性紫外光電探測器。

2.根據權利要求1所述的一種高速響應全透明柔性紫外光電探測器的制備方法，其特征在于，所述ZnO光敏薄膜的生長參數為：柔性透明PI襯底的加熱溫度為200℃，升溫速率為5-7℃/分鐘，氬氣流量為20sccm，濺射功率為120W。

3.根據權利要求1所述的一種高速響應全透明柔性紫外光電探測器的制備方法，其特征在于，所述InGaZnO光敏薄膜的生長參數為：濺射功率為120W，氬氣流量為20sccm，氧氣流量為3sccm。

4.根據權利要求1所述的一種高速響應全透明柔性紫外光電探測器的制備方法，其特征在于，在步驟1之前還包括：將柔性透明PI襯底固定在剛性基底上；所述步驟3還包括：移除剛性基底。

5.根據權利要求4所述的一種高速響應全透明柔性紫外光電探測器的制備方法，其特征在于，所述柔性透明PI襯底在可見光波長范圍內的透過率大于90％。

6.根據權利要求5所述的一種高速響應全透明柔性紫外光電探測器的制備方法，其特征在于，步驟2中所述叉指電極掩模版上兩個電極之間的間隙為0.7-0.8mm。

7.根據權利要求1-6任一所述的一種高速響應全透明柔性紫外光電探測器的制備方法，其特征在于，步驟2中透明導電電極薄膜的生長參數為：濺射功率為110-130W，氬氣流量為20sccm。

8.根據權利要求7所述的一種高速響應全透明柔性紫外光電探測器的制備方法，其特征在于，步驟1中生長ZnO光敏薄膜或InGaZnO光敏薄膜的厚度為150-200nm；步驟2中沉積透明導電電極薄膜的厚度小于200nm。