[發(fā)明專利]一種實(shí)現(xiàn)晶向偏離的單晶晶體的多線切割方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110986962.9
• 申請(qǐng)日: 2021-08-26
• 公開（公告）號(hào): CN113696358B
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李興鵬;曹榛;蘇江濤;張翠蕓;師偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西安中晶半導(dǎo)體材料有限公司
• 主分類號(hào): B28D5/04
• 分類號(hào): B28D5/04;B28D7/00;G01N23/20
• 代理公司: 西安弘理專利事務(wù)所 61214
• 代理人: 劉娜

1.一種實(shí)現(xiàn)晶向偏離的單晶晶體的多線切割方法，其特征在于，具體按照以下步驟實(shí)施：

步驟1，打開X射線晶體定向儀，校準(zhǔn)機(jī)臺(tái)；

步驟2，采用標(biāo)準(zhǔn)樣品，測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)樣品已知晶向值，待晶向峰值強(qiáng)度微安表達(dá)到峰值，進(jìn)行復(fù)位，機(jī)臺(tái)校準(zhǔn)完成，標(biāo)準(zhǔn)樣品標(biāo)定方向的晶向值，記為β；

步驟3，將單晶硅棒的兩端面分別標(biāo)記為W端和T端；

步驟4，將單晶硅棒的W端置于X射線晶體定向儀的縱向支架上，測(cè)試單晶硅棒的W端，當(dāng)測(cè)出一個(gè)方向的點(diǎn)值在一定角度時(shí)，標(biāo)記為A點(diǎn)，然后經(jīng)過單晶硅棒端面圓心O，做出一條直徑，此直徑另一端標(biāo)記為C點(diǎn)，再做出與直徑AC垂直的直線BD；

若為[111]晶向的單晶硅棒，測(cè)出一個(gè)方向的點(diǎn)值在14°14′±(0～30)′；若為[100]晶向的單晶硅棒，測(cè)出一個(gè)方向的點(diǎn)值在34°36′±(0～30)′；若為[110]晶向的單晶硅棒，測(cè)出一個(gè)方向的點(diǎn)值在23°40′±(0～30)′；

步驟5，再將單晶硅棒的W端置于X射線晶體定向儀的縱向支架上，分別測(cè)出A、B、C、D四點(diǎn)所在方向的晶向峰值，并在單晶硅棒的W端面記錄晶向峰值；

步驟6，選擇直徑或方向?yàn)槎嗑€切割進(jìn)給方向，選擇直徑或方向?yàn)榫蚱x度校正方向，測(cè)量和方向上的晶向值，分別記為θ₁和θ₂，并計(jì)算和方向上偏離標(biāo)準(zhǔn)樣品的晶向偏離α₁和α₂；

步驟7，計(jì)算或直徑方向上的晶向偏離度θ，并將θ換算成偏離角度α；

步驟8，計(jì)算單晶硅棒實(shí)際的偏離距離d；

步驟9，確定樹脂板與單晶硅棒之間的相互偏移方向；

步驟10，在單晶硅棒的W端標(biāo)記出步驟9的方向和步驟8所計(jì)算的偏離距離d；

步驟11，根據(jù)單晶硅棒長(zhǎng)度，截取樹脂板長(zhǎng)度；

步驟12，固定晶體粘膠托板，并定位樹脂板的W₁或T₁端，移動(dòng)T₁或W₁端；

步驟13，通過偏離測(cè)量的卡尺移動(dòng)樹脂板未固定T₁或W₁端至步驟10所要偏離的距離d和步驟9所要偏移的方向，然后固定樹脂板移動(dòng)T₁或W₁端；

步驟14，采用工業(yè)酒精擦拭樹脂板表面和粘膠托板表面，利用粘膠劑將樹脂板粘連在晶體粘膠托板上；

步驟15，待樹脂板粘膠固化后，開始粘接硅棒于樹脂板上，采用工業(yè)酒精擦拭樹脂板粘膠凹槽面和單晶硅棒表面，利用粘膠劑將單晶硅棒粘連在樹脂板上，進(jìn)行多線切割。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種實(shí)現(xiàn)晶向偏離的單晶晶體的多線切割方法，其特征在于，所述步驟1中，具體為：打開X射線晶體定向儀，預(yù)熱10min～15min，打開高壓開關(guān)，開始校準(zhǔn)機(jī)臺(tái)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種實(shí)現(xiàn)晶向偏離的單晶晶體的多線切割方法，其特征在于，所述步驟6中，α₁和α₂的計(jì)算過程如式(1)及式(2)所示；

α₁＝θ₁-β??????????????(1)；

α₂＝θ₂-β??????????????(2)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種實(shí)現(xiàn)晶向偏離的單晶晶體的多線切割方法，其特征在于，所述步驟7中，晶向偏離度θ根據(jù)公式(3)計(jì)算；偏離角度α的計(jì)算公式如式(4)所示；

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種實(shí)現(xiàn)晶向偏離的單晶晶體的多線切割方法，其特征在于，所述步驟8中，單晶硅棒實(shí)際的偏離距離d通過公式(5)或(6)計(jì)算：

d＝Rsinα(6)；

其中，R為單晶硅棒實(shí)際長(zhǎng)度。