[發明專利]一種有機半導體器件超臨界處理方法

有效

• 申請號: 202110985897.8
• 申請日: 2021-08-26
• 公開（公告）號: CN113856237B
• 公開（公告）日: 2023-01-03
• 發明（設計）人: 張冠張;李蕾;劉凱
• 申請（專利權）人: 北京大學深圳研究生院
• 主分類號: B01D11/02
• 分類號: B01D11/02
• 代理公司: 深圳鼎合誠知識產權代理有限公司 44281
• 代理人: 郭燕;彭家恩

本發明提供了一種有機半導體器件超臨界處理方法，包括：提供一有機半導體器件以及二氧化碳；獲得超臨界態的二氧化碳；通過超臨界態的二氧化碳對所述有機半導體器件進行雜質萃取?？梢娪袡C材料結構中的雜質，如聚合物單體分子、寡聚物等小分子或軟交聯劑雜質，會被超臨界態的二氧化碳從有機材料中脫除。同時，水分子同樣會被超臨界態的二氧化碳從有機材料中脫除。因此，有機材料結構在有機半導體器件中發揮的電學性能，能夠進一步靠近理想模型，雜質帶來的影響下降。

技術領域

本發明涉及有機半導體器件技術領域，具體涉及一種有機半導體器件超臨界處理方法。

背景技術

近年來，許多有機材料被用于制造有機電子器件，以取代一些傳統的無機材料，改善傳統器件的性能，尤其是在柔性有機半導體器件、有機太陽能電池、智能設備等方面極具發展潛力，具有制造工藝低成本和易制造的優勢。

有機材料(包括有機半導體層、有機電極、有機電介質等)通常采用基于溶液處理方法的制備技術，一般都包含有旋涂、浸漬、噴墨打印等工藝步驟。在制備過程中，溶劑的使用、聚合物單體分子以及寡聚物等小分子化合物的存在，會對有機聚合物半導體材料的電學特性產生不良影響。此外，在一些有機材料的實現方法中，同樣會引入相應的雜質。如利用軟交聯劑制備有機聚合物，會在材料中引入軟交聯劑雜質。

一般來說，這些雜質的飽和蒸汽壓較小，通常采用常規蒸發的方式去除這些雜質，但這種方法依舊會殘留較多的雜質，影響有機半導體的性能。此外，有機聚合物半導體對高溫和水汽較敏感，暴露在高溫、有氧、水汽的條件下可能發生分解、氧化等化學反應，影響材料特性。

因此尋找一種能夠在低溫下去除有機半導體中雜質和水汽的方法是十分迫切與必要的。

發明內容

本發明主要解決的技術問題是有機半導體器件中存在雜質以及水汽的問題。

根據第一方面，一種實施例中提供一種有機半導體器件超臨界處理方法，包括：

提供一有機半導體器件、第一物質以及二氧化碳；

對所述第一物質進行超臨界化處理，使得所述第一物質處于超臨界態，所述第一物質的臨界溫度T1小于所述二氧化碳的臨界溫度T2；

通過超臨界態的第一物質對所述二氧化碳進行處理，以得到超臨界態的二氧化碳；

通過超臨界態的二氧化碳對所述有機半導體器件進行雜質萃取。

根據第二方面，一種實施例中提供一種有機半導體器件超臨界處理方法，包括：

提供一有機半導體器件以及二氧化碳；

獲得超臨界態的二氧化碳；

通過超臨界態的二氧化碳對所述有機半導體器件進行雜質萃取。

依據上述實施例的有機半導體器件超臨界處理方法，通過提供一有機半導體器件以及二氧化碳；獲得超臨界態的二氧化碳；通過超臨界態的二氧化碳對所述有機半導體器件進行雜質萃取?？梢娪袡C材料結構中的雜質，如聚合物單體分子、寡聚物等小分子或軟交聯劑雜質，會被超臨界態的二氧化碳從有機材料中脫除。同時，水分子同樣會被超臨界態的二氧化碳從有機材料中脫除。因此，有機材料結構在有機半導體器件中發揮的電學性能，能夠進一步靠近理想模型，雜質帶來的影響下降。

附圖說明

圖1為一種實施例提供的一種有機半導體器件超臨界處理方法的流程示意圖；

圖2為另一種實施例提供的一種有機半導體器件超臨界處理方法的流程示意圖；

圖3為一種實施例提供的電容器件的結構示意圖；

圖4a與圖4b為一種實施例提供的一種有機半導體器件超臨界處理設備的結構示意圖；