[發(fā)明專利]一種有機半導(dǎo)體器件超臨界處理方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110985897.8 | 申請日： | 2021-08-26 |
| 公開（公告）號： | CN113856237B | 公開（公告）日： | 2023-01-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張冠張;李蕾;劉凱 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京大學(xué)深圳研究生院 |
| 主分類號： | B01D11/02 | 分類號： | B01D11/02 |
| 代理公司： | 深圳鼎合誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44281 | 代理人： | 郭燕;彭家恩 |
| 地址： | 518055 廣東省深圳市南*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 有機 半導(dǎo)體器件 臨界 處理 方法 | ||
1.一種有機半導(dǎo)體器件超臨界處理方法，其特征在于，包括：
提供一有機半導(dǎo)體器件、第一物質(zhì)以及二氧化碳；
對所述第一物質(zhì)進行超臨界化處理，使得所述第一物質(zhì)處于超臨界態(tài)，所述第一物質(zhì)的臨界溫度T1小于所述二氧化碳的臨界溫度T2；
通過超臨界態(tài)的第一物質(zhì)對所述二氧化碳進行處理，以得到超臨界態(tài)的二氧化碳；所述超臨界態(tài)的二氧化碳為溶解在超臨界態(tài)的第一物質(zhì)中的二氧化碳；
通過超臨界態(tài)的二氧化碳對所述有機半導(dǎo)體器件進行雜質(zhì)萃取。
2.如權(quán)利要求1所述的有機半導(dǎo)體器件超臨界處理方法，其特征在于，所述第一物質(zhì)為含碳元素的飽和鍵化合物或惰性氣體或氮氣。
3.如權(quán)利要求2所述的有機半導(dǎo)體器件超臨界處理方法，其特征在于，所述第一物質(zhì)為四氟化碳或氮氣。
4.如權(quán)利要求1所述的有機半導(dǎo)體器件超臨界處理方法，其特征在于，所述對所述第一物質(zhì)進行超臨界化處理，處理溫度T為T1≤T＜T2。
5.如權(quán)利要求1所述的有機半導(dǎo)體器件超臨界處理方法，其特征在于，所述二氧化碳的質(zhì)量分數(shù)小于或等于5％，或所述二氧化碳體積分數(shù)小于或等于5％。
6.如權(quán)利要求1所述的有機半導(dǎo)體器件超臨界處理方法，其特征在于，所述通過超臨界態(tài)的二氧化碳對所述有機半導(dǎo)體器件進行雜質(zhì)萃取包括：
通過超臨界態(tài)的二氧化碳對所述有機半導(dǎo)體器件的有機材料結(jié)構(gòu)進行雜質(zhì)萃取；
其中，所述有機半導(dǎo)體器件為完成所述有機材料結(jié)構(gòu)制備至封裝完成中任意一工藝過程的有機半導(dǎo)體器件。
7.如權(quán)利要求6所述的有機半導(dǎo)體器件超臨界處理方法，其特征在于，所述有機材料結(jié)構(gòu)的材料為聚甲基丙烯酸甲酯。
8.如權(quán)利要求1所述的有機半導(dǎo)體器件超臨界處理方法，其特征在于，所述雜質(zhì)為有機雜質(zhì)和水中的至少一種。
9.如權(quán)利要求4所述的有機半導(dǎo)體器件超臨界處理方法，其特征在于，處理溫度T為T≤Tm，Tm＜T2，Tm為所述有機半導(dǎo)體器件的極限工作溫度。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于北京大學(xué)深圳研究生院，未經(jīng)北京大學(xué)深圳研究生院許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110985897.8/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
