[發(fā)明專利]一種抗干擾模組及終端設備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110985072.6
• 申請日: 2021-08-25
• 公開（公告）號: CN115941823A
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發(fā)明（設計）人: 王星;張立新
• 申請（專利權）人: 榮耀終端有限公司
• 主分類號: H04M1/02
• 分類號: H04M1/02;H05K9/00
• 代理公司: 深圳中一聯(lián)合知識產權代理有限公司 44414
• 代理人: 李紅艷

1.一種抗干擾模組，其特征在于，包括：

電路板；

干擾源，設置于所述電路板上，所述干擾源可產生變化的干擾磁場；

器件設置空間，設置于所述電路板的一側，且被配置為設置具有第一線圈的電子器件；

抗干擾部件，被配置可產生與所述干擾磁場相疊加的補償磁場，或者可消耗所述干擾磁場與所述抗干擾部件之間耦合產生的電能，以減小所述器件設置空間的磁感應強度。

2.根據(jù)權利要求1所述的抗干擾模組，其特征在于，

所述抗干擾部件包括：

第二線圈，設置于所述器件設置空間的一側；

磁場屏蔽件，至少一部分位于所述第二線圈與所述器件設置空間之間。

3.根據(jù)權利要求2所述的抗干擾模組，其特征在于，

所述第二線圈設置于所述干擾源和所述器件設置空間之間。

4.根據(jù)權利要求3所述的抗干擾模組，其特征在于，

沿所述電路板的厚度方向，所述器件設置空間設置于所述干擾源遠離所述電路板的一側。

5.根據(jù)權利要求3或4所述的抗干擾模組，其特征在于，

所述第二線圈為平面線圈；所述磁場屏蔽件呈層狀，且與所述第二線圈層疊設置。

6.根據(jù)權利要求1～5中任一項所述的抗干擾模組，其特征在于，

所述干擾磁場為低頻交變磁場，所述磁場屏蔽件的材料為導磁材料。

7.根據(jù)權利要求6所述的抗干擾模組，其特征在于，

所述導磁材料為納米晶磁性材料。

8.根據(jù)權利要求2～5中任一項所述的抗干擾模組，其特征在于，

所述抗干擾部件還包括與所述第二線圈電連接的耗能電路，所述耗能電路被配置為消耗所述第二線圈與所述干擾磁場之間耦合產生的電能。

9.根據(jù)權利要求8所述的抗干擾模組，其特征在于，

所述耗能電路為RLC電路。

10.根據(jù)權利要求8所述的抗干擾模組，其特征在于，

所述干擾磁場為高頻交變磁場，所述耗能電路包括磁珠。

11.根據(jù)權利要求2～5中任一項所述的抗干擾模組，其特征在于，

所述抗干擾部件還包括與所述第二線圈電連接的充電電路，所述充電電路包括充電連接端，所述充電連接端被配置為與電源電連接。

12.根據(jù)權利要求2～5中任一項所述的抗干擾模組，其特征在于，

所述抗干擾部件還包括與所述第二線圈電連接的連接電路，所述連接電路包括供電連接端，所述供電連接端被配置為與用電器件電連接。

13.根據(jù)權利要求2～5中任一項所述的抗干擾模組，其特征在于，

所述抗干擾模組還包括第一交流供電單元，所述第一交流供電單元與所述第二線圈電連接，使所述第二線圈能夠產生所述補償磁場，所述補償磁場穿過所述第二線圈的方向與所述干擾磁場穿過所述第二線圈的方向相反。

14.根據(jù)權利要求13所述的抗干擾模組，其特征在于，

所述干擾源包括負載、第二交流供電單元、以及連接于所述第二交流供電單元和所述負載之間的連接線路；

所述第二線圈中電流的流向與所述連接線路中電流的流向相反；其中，所述流向包括順時針方向和逆時針方向。

15.根據(jù)權利要求14所述的抗干擾模組，其特征在于，

所述抗干擾模組還包括連接于所述第一交流供電單元和所述第二線圈之間的調相器件，所述調相器件被配置為調整所述第二線圈中電流的相位，使所述第二線圈中電流的相位與所述連接線路中的電流的相位一致。