[發(fā)明專利]高電流密度電解活性陰極及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110984700.9 | 申請日： | 2021-08-25 |
| 公開（公告）號： | CN115725997A | 公開（公告）日： | 2023-03-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王小磊;于昕;李爽;王林;趙環(huán)玲 | 申請（專利權(quán)）人： | 藍(lán)星（北京）化工機械有限公司 |
| 主分類號： | C25B11/053 | 分類號： | C25B11/053;C25B11/093;C25B1/46 |
| 代理公司： | 北京智澤德世專利商標(biāo)代理事務(wù)所(普通合伙) 11934 | 代理人： | 馬龍 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電流密度 電解 活性 陰極 及其 制備 方法 | ||
1.高電流密度電解活性陰極，其特征在于：包括導(dǎo)電基體，導(dǎo)電基體采用金屬材料制成，導(dǎo)電基體的外表面包覆有金屬氧化物陰極底層活性涂層，金屬氧化物陰極底層活性涂層的外表面包覆有金屬氧化物陰極外層活性涂層，所述金屬氧化物陰極底層活性涂層由過渡元素第VIII族的氧化物與鑭系元素的氧化物共同構(gòu)成，所述金屬氧化物陰極外層活性涂層由過渡元素第VIII族的氧化物；
所述金屬氧化物陰極底層活性涂層中過渡元素第VIII族的原子數(shù)量與鑭系元素的原子數(shù)量比值為2.3-10.1，金屬氧化物陰極底層活性涂層中的過渡元素第VIII族的氧化物含量為6-16g/m2；
所述金屬氧化物陰極底層活性涂層中過渡元素第VIII族的原子數(shù)量與所述金屬氧化物陰極外層活性涂層中過渡元素第VIII族的原子數(shù)量比值為5.9-23.4。
2.權(quán)利要求1中所述的活性陰極導(dǎo)電性基材優(yōu)選鎳絲網(wǎng)并使金屬基材表面積為12-16cm2/g。
3.根據(jù)權(quán)利要求1、2所述的高電流密度電解活性陰極，其特征在于：所述金屬氧化物陰極底層活性涂層中過渡元素第VIII族為釕、銠、鈀和/或鉑，鑭系元素為鈰和/或鐠；
所述屬氧化物陰極外層活性涂層中過渡元素第VIII族為釕、銠、鈀和/或鉑。
4.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3所述的高電流密度電解活性陰極，其特征在于：所述金屬氧化物陰極底層活性涂層中釕、銠、鈀和/或鉑的原子數(shù)量與鈰和/或鐠的原子數(shù)量比值為2.9-9.5，金屬氧化物陰極底層活性涂層中的釕、銠、鈀和/或鉑的氧化物含量為6.7-15.3g/m2；
所述金屬氧化物陰極底層活性涂層中釕、銠、鈀和/或鉑的原子數(shù)量與所述金屬氧化物陰極外層活性涂層中釕、銠、鈀和/或鉑的原子數(shù)量比值為6.9-21.4。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高電流密度電解活性陰極，其特征在于：所述金屬氧化物陰極底層活性涂層中釕、銠、鈀和/或鉑的原子數(shù)量與鈰和/或鐠的原子數(shù)量比值為3.5-8.9，金屬氧化物陰極底層活性涂層中的釕、銠、鈀和/或鉑的氧化物含量為7.4-14.7g/m2；
所述金屬氧化物陰極底層活性涂層中釕、銠、鈀和/或鉑的原子數(shù)量與所述金屬氧化物陰極外層活性涂層中釕、銠、鈀和/或鉑的原子數(shù)量比值為7.8-19.5。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高電流密度電解活性陰極，其特征在于：所述金屬氧化物陰極底層活性涂層中釕、銠、鈀和/或鉑的原子數(shù)量與鈰和/或鐠的原子數(shù)量比值4.0-8.1，金屬氧化物陰極底層活性涂層中的釕、銠、鈀和/或鉑的氧化物含量為8-14g/m2；
所述金屬氧化物陰極底層活性涂層中釕、銠、鈀和/或鉑的原子數(shù)量與所述金屬氧化物陰極外層活性涂層中釕、銠、鈀和/或鉑的原子數(shù)量比值為8.8-17.6。
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