[發(fā)明專利]二氧化鈦納米管的制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110984156.8 | 申請(qǐng)日: | 2021-08-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113699575A | 公開(公告)日: | 2021-11-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張少瑜;胡冬艷;沈穎;吳起;陳濱掖 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 江蘇城鄉(xiāng)建設(shè)職業(yè)學(xué)院 |
| 主分類號(hào): | C25D11/26 | 分類號(hào): | C25D11/26 |
| 代理公司: | 杭州裕陽聯(lián)合專利代理有限公司 33289 | 代理人: | 周云 |
| 地址: | 213000 江*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 氧化 納米 制備 方法 | ||
本申請(qǐng)公開了二氧化鈦納米管的制備方法,包括如下步驟,電極制備步驟:將鈦箔進(jìn)行拋光處理,而后用去離子水洗干凈;電解液配制步驟:配制電解液,所述電解液中含有0.05mol/L的H2SiF6和質(zhì)量比5%的磷酸;電解液老化步驟:將拋光后的鈦箔置于電解液中作為正極,石墨電極作為負(fù)極,正負(fù)極之間加上恒流電流,反應(yīng)一段時(shí)間后取出;納米管的制備步驟:將拋光后的鈦箔置于電解液中作為正極,石墨電極作為負(fù)極,正負(fù)極之間加上恒壓電流,反應(yīng)一段時(shí)間后取出;后處理步驟:將含有陽極二氧化鈦納米管的鈦箔清洗,然后置于氫氧化鈉溶液中一段時(shí)間。本發(fā)明具有如下有益效果:消除了陽極二氧化鈦納米管間的縫隙,增強(qiáng)了管間結(jié)合力。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及納米材料領(lǐng)域,尤其涉及一種二氧化鈦納米管的制備方法。
背景技術(shù)
二氧化鈦是一種應(yīng)用非常多的半導(dǎo)體材料,多孔二氧化鈦在異相催化、氣敏等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。目前,多孔二氧化鈦的制備通常是通過陽極氧化法制得的,但是利用陽極氧化法制備得到的二氧化鈦納米管與鈦基底結(jié)合力較低,表面容易產(chǎn)生裂紋,容易與鈦基底剝離;且納米管之間有明顯的縫隙,結(jié)合力較弱。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明針對(duì)上述問題,提出了一種二氧化鈦納米管的制備方法。
本發(fā)明采取的技術(shù)方案如下:
一種二氧化鈦納米管的制備方法,包括如下步驟,
電極制備步驟:將鈦箔進(jìn)行拋光處理,而后用去離子水洗干凈;
電解液配制步驟:配制電解液,所述電解液中含有0.05mol/L的H2SiF6和質(zhì)量比5%的磷酸;
電解液老化步驟:將拋光后的鈦箔置于電解液中作為正極,石墨電極作為負(fù)極,正負(fù)極之間加上恒流電流,反應(yīng)一段時(shí)間后取出;
納米管的制備步驟:將拋光后的鈦箔置于電解液中作為正極,石墨電極作為負(fù)極,正負(fù)極之間加上恒壓電流,反應(yīng)一段時(shí)間后取出;
后處理步驟:將含有陽極二氧化鈦納米管的鈦箔清洗,然后置于氫氧化鈉溶液中一段時(shí)間。
上述處理工藝的原理如下,含磷酸根的電解液通常用于制備致密型陽極二氧化鈦層,含氟電解液通常用于制備陽極二氧化鈦納米管,但是陽極二氧化鈦納米管的管間有明顯的縫隙,納米管與鈦基底的結(jié)合力也比較弱,表面容易產(chǎn)生裂紋,也容易從鈦基底上剝離,大大影響了陽極二氧化鈦納米管的應(yīng)用性能。例如,陽極二氧化鈦納米管應(yīng)用于染料敏化太陽能電池時(shí),需要陽極二氧化鈦納米管層不能有裂紋,與基底(鈦箔)也要有很好的結(jié)合力。本發(fā)明將致密型氧化膜和陽極二氧化鈦納米管的制備方法相結(jié)合,減小了納米管間的縫隙,再利用無定型二氧化鈦在堿液中的晶型變化,用二氧化鈦填充納米管間的縫隙,以此增強(qiáng)二氧化鈦納米管間的結(jié)合力。
綜上所述,本發(fā)明采用電解液中增加了磷酸根離子,使減小了納米管間的縫隙,并且完成制備將含有納米管的鈦箔在堿液中浸泡,使無定型的二氧化鈦不斷生長(zhǎng),最終填充了管間縫隙,消除了陽極二氧化鈦納米管間的縫隙,增強(qiáng)了管間結(jié)合力。
可選的,所述電極制備步驟中先將電極置于氫氟酸與硝酸的混合液中,而后再用去離子水洗凈。
可選的,所述氫氟酸與硝酸的體積比為1:3。
可選的,電解液老化步驟中正負(fù)極之間施加4mA/cm2的恒流電流,反應(yīng)半小時(shí)后取出。
可選的,所述納米管的制備步驟中正負(fù)極之間施加30V的恒壓電流,反應(yīng)時(shí)間為10min。
可選的,所述后處理步驟中氫氧化鈉溶液的濃度為1mol/L。
可選的,所述后處理步驟中氫氧化鈉的溶液的溫度為50℃,放置時(shí)間為24小時(shí)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于江蘇城鄉(xiāng)建設(shè)職業(yè)學(xué)院,未經(jīng)江蘇城鄉(xiāng)建設(shè)職業(yè)學(xué)院許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110984156.8/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 一種數(shù)據(jù)庫(kù)讀寫分離的方法和裝置
- 一種手機(jī)動(dòng)漫人物及背景創(chuàng)作方法
- 一種通訊綜合測(cè)試終端的測(cè)試方法
- 一種服裝用人體測(cè)量基準(zhǔn)點(diǎn)的獲取方法
- 系統(tǒng)升級(jí)方法及裝置
- 用于虛擬和接口方法調(diào)用的裝置和方法
- 線程狀態(tài)監(jiān)控方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)
- 一種JAVA智能卡及其虛擬機(jī)組件優(yōu)化方法
- 檢測(cè)程序中方法耗時(shí)的方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 函數(shù)的執(zhí)行方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)





