[發(fā)明專利]一種193nm浸沒式光刻用光產(chǎn)酸劑及其中間體有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110979288.1 | 申請(qǐng)日: | 2021-08-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113698329B | 公開(公告)日: | 2023-07-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王溯;方書農(nóng);徐森;林逸鳴 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海芯刻微材料技術(shù)有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | C07C381/12 | 分類號(hào): | C07C381/12;C07C309/12;C07C227/18;C07C229/50;C07C303/32;C07C67/08;C07C69/753;C07C229/46;C07C69/608;G03F7/004 |
| 代理公司: | 上海弼興律師事務(wù)所 31283 | 代理人: | 王衛(wèi)彬;陳卓 |
| 地址: | 201616 上海市*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 193 nm 浸沒 光刻 用光 產(chǎn)酸劑 及其 中間體 | ||
本發(fā)明公開了一種193nm浸沒式光刻用光產(chǎn)酸劑及其中間體。本發(fā)明的光產(chǎn)酸劑如式I所示。含有本發(fā)明的光產(chǎn)酸劑的光刻膠的具有分辨率高、靈敏度高和線寬粗糙度低的優(yōu)點(diǎn),具有良好的應(yīng)用前景。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種193nm浸沒式光刻用光產(chǎn)酸劑及其中間體。
背景技術(shù)
光刻技術(shù)是指利用光刻材料(特指光刻膠)在可見光、紫外線、電子束等作用下的化學(xué)敏感性,通過曝光、顯影、刻蝕等工藝過程,將設(shè)計(jì)在掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上的圖形微細(xì)加工技術(shù)。光刻材料(特指光刻膠),又稱光致抗蝕劑,是光刻技術(shù)中涉及的最關(guān)鍵的功能性化學(xué)材料,其主要成分是樹脂、光產(chǎn)酸劑(Photo?Acid?Generator,PAG)、以及相應(yīng)的添加劑和溶劑。光產(chǎn)酸劑是一種光敏感的化合物,在光照下分解產(chǎn)生酸,所產(chǎn)生的酸可使酸敏樹脂發(fā)生分解或者交聯(lián)反應(yīng),從而使光照部分與非光照部分在顯影液中溶解反差增大,可以用于圖形微細(xì)加工技術(shù)領(lǐng)域。
光刻膠的三個(gè)重要參數(shù)包括分辨率、靈敏度、線寬粗糙度,它們決定了光刻膠在芯片制造時(shí)的工藝窗口。隨著半導(dǎo)體芯片性能不斷提升,集成電路的集成度呈指數(shù)型增加,集成電路中的圖形不斷縮小。為了制作更小尺寸的圖形,必須提高上述三個(gè)光刻膠的性能指標(biāo)。根據(jù)瑞利方程式,在光刻工藝中使用短波長(zhǎng)的光源可以提高光刻膠的分辨率。光刻工藝的光源波長(zhǎng)從365nm(I-線)發(fā)展到248nm(KrF)、193nm(ArF)、13nm(EUV)。為提高光刻膠的靈敏度,目前主流的KrF、ArF、EUV光刻膠采用了化學(xué)放大型光敏樹脂。由此,與化學(xué)放大型光敏樹脂相配套的光敏劑(光致產(chǎn)酸劑)被廣泛應(yīng)用在高端光刻膠中。
隨著光刻工藝逐漸發(fā)展,至193nm浸沒式工藝,工藝復(fù)雜程度加大,對(duì)光產(chǎn)酸劑提出越來(lái)越高的要求。開發(fā)能提升光刻膠分辨率、靈敏度、線寬粗糙度的光產(chǎn)酸劑,成為行業(yè)亟待解決的問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中與化學(xué)放大型光敏樹脂相配套的光致產(chǎn)酸劑種類少的缺陷,為此,提供了一種193nm浸沒式光刻用光產(chǎn)酸劑及其中間體,以提升光刻膠分辨率、靈敏度、線寬粗糙度等各方面的性能。
本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案解決上述技術(shù)問題的。
本發(fā)明提供了一種如式I所述的化合物:
A為I或S;
n為2或3;
R為H、鹵素、C1-6烷基或C1-6烷氧基的一種或多種,R在苯環(huán)上的取代基數(shù)為1~5;
Y為被Y1取代的或被Y2取代的其中,Y1和Y2獨(dú)立地為1個(gè)、2個(gè)、3個(gè)或4個(gè);m1、m2、n1和n2獨(dú)立地為0、1、2或3;Y1和Y2獨(dú)立地為氨基、C1-6烷基氨基、羧基、C1-6烷基羧基或C1-6烷基。
在一些方案中,R中,所述的鹵素為F、Cl、Br或I。
在一些方案中,R中,所述的C1-6烷基為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基或叔丁基。
在一些方案中,R中,所述的C1-6烷氧基為甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、仲丁氧基或叔丁氧基。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海芯刻微材料技術(shù)有限責(zé)任公司,未經(jīng)上海芯刻微材料技術(shù)有限責(zé)任公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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