[發(fā)明專利]一種193nm浸沒式光刻用光產(chǎn)酸劑及其中間體

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110979288.1
• 申請日: 2021-08-25
• 公開（公告）號: CN113698329B
• 公開（公告）日: 2023-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王溯;方書農(nóng);徐森;林逸鳴
• 申請（專利權(quán)）人: 上海芯刻微材料技術(shù)有限責(zé)任公司
• 主分類號: C07C381/12
• 分類號: C07C381/12;C07C309/12;C07C227/18;C07C229/50;C07C303/32;C07C67/08;C07C69/753;C07C229/46;C07C69/608;G03F7/004
• 代理公司: 上海弼興律師事務(wù)所 31283
• 代理人: 王衛(wèi)彬;陳卓

1.一種如式I所述的化合物：

其中，A為I或S；

n為2或3；

R為H、鹵素、C_1-6烷基或C_1-6烷氧基的一種或多種，R在苯環(huán)上的取代基數(shù)為1～5；

Y為

2.如權(quán)利要求1所述的如式I所述的化合物，其特征在于，所述的如式I所示的化合物滿足如下1個或多個條件：

①R中，所述的鹵素為F、Cl、Br或I；

②R中，所述的C_1-6烷基為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基或叔丁基；

③R中，所述的C_1-6烷氧基為甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、仲丁氧基或叔丁氧基。

3.如權(quán)利要求1所述的如式I所述的化合物，其特征在于，所述的如式I所示的化合物滿足如下1個或多個條件：

①R為H；

②A為S；

③n為3。

4.如權(quán)利要求1所述的如式I所述的化合物，其特征在于，R為H；

A為S；

n為3。

5.如權(quán)利要求1所述的如式I所述的化合物，其特征在于，所述的如式I所示的化合物滿足如下條件：

為

6.如權(quán)利要求1所述的如式I所述的化合物，其特征在于，所述的如式I所示的化合物為如下任一化合物：

7.一種化合物II：

其中，Y的定義如權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述；N為堿金屬。

8.如權(quán)利要求7所述的化合物II，其特征在于，N中，所述的堿金屬為Li、Na或K。

9.如權(quán)利要求7所述的化合物II，其特征在于，所述的化合物II為如下任一化合物：