[發(fā)明專利]薄膜晶體管陣列基板及其制作方法

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• 申請日: 2021-08-25
• 公開（公告）號: CN113745344A
• 公開（公告）日: 2021-12-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 卓毅
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/34
• 代理公司: 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 徐世俊

1.一種薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，包括：

襯底；

平臺層，設(shè)置在所述襯底上；

氧化物有源層，設(shè)置在所述襯底上，并位在所述平臺層上方，所述氧化物有源層包括溝道部及位在所述溝道部相對兩側(cè)的導(dǎo)體部，其中所述溝道部的頂面所在的水平面高度高于任一所述導(dǎo)體部的頂面所在的水平面高度，

柵極絕緣層，設(shè)置在所述氧化物有源層上

柵極，設(shè)置在所述柵極絕緣層上，且所述柵極在所述襯底上的正投影覆蓋所述平臺層及所述溝道部在所述襯底上的正投影；以及

源極和漏極，所述源極和所述漏極與所述導(dǎo)體部電連接。

2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管陣列基板還包括緩沖層，所述緩沖層設(shè)置在所述襯底上，并且覆蓋所述平臺層，其中所述平臺層的材料是絕緣材料或金屬氧化物。

3.如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述緩沖層包括凸臺，所述溝道部設(shè)置在所述凸臺上，并包覆整個所述凸臺。

4.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述溝道部包括兩坡邊，所述坡邊的一端連接相應(yīng)的所述導(dǎo)體部，且所述坡邊以遠(yuǎn)離所述溝道部并朝相應(yīng)的所述導(dǎo)體部的方向傾斜。

5.如權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述平臺層包括分別朝外傾斜的第一端面及第二端面，且所述溝道部在所述襯底上的正投影覆蓋所述平臺層在所述襯底上的正投影。

6.如權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述柵極絕緣層包括相對設(shè)置的兩個偏移部，所述偏移部定義在所述柵極絕緣層對應(yīng)所述柵極的端緣及所述柵極絕緣層的相應(yīng)端緣之間的部分，其中所述兩個偏移部在所述襯底上的正投影分別覆蓋所述平臺層的第一端面及第二端面及所述溝道部的坡邊在所述襯底上的正投影。

7.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管陣列基板還包括層間絕緣層，所述層間絕緣層覆蓋所述氧化物有源層、所述柵極絕緣層及所述柵極，且所述層間絕緣層包括多個過孔，其中所述源極和漏極設(shè)在所述層間絕緣層上，并通過所述多個過孔電連接所述導(dǎo)體部。

8.一種薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在襯底上沉積一層平臺層，所述平臺層的材料是絕緣材料或金屬氧化物；

在襯底上形成一層氧化物有源層，并利用光刻工藝形成溝道部及位在所述溝道部相對二側(cè)的導(dǎo)體區(qū)域；

在所述氧化物有源層沉積一層?xùn)艠O絕緣層；

在所述柵極絕緣層沉積一層?xùn)艠O金屬層；

利用一道光刻工藝圖形化所述層?xùn)艠O金屬層，以形成柵極，并自對準(zhǔn)蝕刻所述柵極絕緣層，以暴露所述氧化物有源層的導(dǎo)體區(qū)域，其中所述柵極在所述襯底上的正投影覆蓋所述平臺層及所述溝道部在所述襯底上的正投影；

進(jìn)行整面等離子處理，使所述氧化物有源層的導(dǎo)體區(qū)域?qū)w化并形成導(dǎo)體部，其中所述溝道部的頂面所在的水平面高度高于任一所述導(dǎo)體部的頂面所在的水平面高度；

沉積層間絕緣層，以覆蓋所述氧化物有源層、所述柵極絕緣層及所述柵極，并圖形化所述層間絕緣層以形成多個過孔；以及

沉積一層源極/漏極金屬層，并圖形化形成源極及漏極，所述源極及漏極通過所述多個過孔電連接所述氧化物有源層的導(dǎo)體部。

9.如權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，在襯底上形成一層氧化物有源層的步驟之前還包括：在所述襯底上沉積一層緩沖層，以覆蓋所述平臺層，且所述緩沖層通過光刻工藝形成位在所述平臺層正上方的凸臺，其中所述溝道部設(shè)置在所述凸臺上，并包覆整個所述凸臺。

10.如權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述溝道部包括兩坡邊，所述坡邊的一端連接相應(yīng)的所述導(dǎo)體部，且所述坡邊以遠(yuǎn)離所述溝道部并朝相應(yīng)的所述導(dǎo)體部的方向傾斜，其中所述柵極絕緣層包括相對設(shè)置的兩個偏移部，所述偏移部形成在所述柵極絕緣層對應(yīng)所述柵極的端緣及所述柵極絕緣層的相應(yīng)端緣之間的部分，其中所述兩個偏移部在所述襯底上的正投影分別覆蓋所述平臺層的相對兩端面及所述溝道部的坡邊在所述襯底上的正投影。