[發(fā)明專利]一種處理負(fù)壓AC信號的電子開關(guān)及其控制方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110971997.5 | 申請日: | 2021-08-24 |
| 公開(公告)號: | CN113422595B | 公開(公告)日: | 2021-11-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 蔡波;卿健;羅周益;朱冬勇;章莉 | 申請(專利權(quán))人: | 成都市易沖半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號: | H03K17/687 | 分類號: | H03K17/687;H03K17/16 |
| 代理公司: | 成都九鼎天元知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 51214 | 代理人: | 徐靜 |
| 地址: | 610000 四川省成都市天府新區(qū)中國(四川)自由貿(mào)*** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 處理 ac 信號 電子 開關(guān) 及其 控制 方法 | ||
本發(fā)明提供一種新型處理負(fù)壓AC信號的電子開關(guān)及其控制方法,所述電子開關(guān)包括:隔離型NMOS管QT1、隔離型NMOS管QT2、鉗位電路一、鉗位電路二、控制電路一和控制電路二;節(jié)點(diǎn)T1和節(jié)點(diǎn)T2會通過體二極管對節(jié)點(diǎn)MID進(jìn)行偏置,當(dāng)電子開關(guān)斷開時,如果T1處的AC信號為正壓,則電子開關(guān)的阻斷是靠QT2的關(guān)斷來完成,如果T1處的AC信號為負(fù)壓,則電子開關(guān)的阻斷是靠QT1的關(guān)斷來完成,同時,由于節(jié)點(diǎn)T1的負(fù)壓被n型埋層隔離在一個獨(dú)立的P阱里面,負(fù)壓不會影響電子開關(guān)芯片的襯底和其他電位,電子開關(guān)芯片的襯底接芯片的地。本發(fā)明能夠徹底關(guān)斷處理負(fù)壓AC信號的電子開關(guān),并通過n型埋層隔離的P阱對負(fù)壓進(jìn)行了有效處理。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電子電路技術(shù)領(lǐng)域,具體而言,涉及一種新型處理負(fù)壓AC信號的電子開關(guān)及其控制方法。
背景技術(shù)
目前越來越多的應(yīng)用需要用到處理負(fù)壓AC信號(交流信號)的電子開關(guān),這是一類特殊的電源開關(guān),與常規(guī)電子開關(guān)的不同之處在于關(guān)斷狀態(tài)下電子開關(guān)的一端電壓會到一個負(fù)壓,在這個負(fù)壓下對電子開關(guān)的徹底關(guān)斷帶來了極大挑戰(zhàn),并且傳統(tǒng)CMOS體硅工藝也較難處理芯片的負(fù)壓。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在提供一種新型處理負(fù)壓AC信號的電子開關(guān)及其控制方法,以解決關(guān)斷狀態(tài)下開關(guān)的一端電壓會到負(fù)壓,從而導(dǎo)致在這個負(fù)壓下電子開關(guān)難以徹底關(guān)斷,以及傳統(tǒng)CMOS體硅工藝也較難處理芯片的負(fù)壓的問題。
本發(fā)明提供的一種新型處理負(fù)壓AC信號的電子開關(guān),包括:
隔離型NMOS管QT1、隔離型NMOS管QT2、鉗位電路一、鉗位電路二、控制電路一和控制電路二;
隔離型NMOS管QT1的漏極與隔離型NMOS管QT2的漏極連接;隔離型NMOS管QT2的源極連接鉗位電路二的輸入端;鉗位電路二的輸出端一方面連接鉗位電路一的輸入端,另一方面連接控制電路二的輸入端;控制電路二的輸出端分別連接至隔離型NMOS管QT2的柵極和源極;鉗位電路一的輸出端連接隔離型NMOS管QT1的源極;控制電路一的輸入端分別連接鉗位電路一的兩端,控制電路一的輸出端連接NMOS管QT1的柵極;
隔離型NMOS管QT1和隔離型NMOS管QT2中的n型埋層連接各自的漏極,n型埋層隔離起來的P阱連接各自的源極,并且P阱還通過一個體二極管與各自的漏極連接。
進(jìn)一步的,所述鉗位電路二包括二極管D1、二極管D2、鉗位二極管Z2、電容cpump和電容CT2;所述控制電路二包括開關(guān)T2_on和開關(guān)T2_off;隔離型NMOS管QT2的源極依次連接二極管D1的正極和負(fù)極以及二極管D2的正極和負(fù)極;二極管D1和二極管D2之間的電性連接點(diǎn)經(jīng)電容cpump接地;電容CT2以及鉗位二極管Z2的兩端均并聯(lián)在二極管D1的正極和二極管D2的負(fù)極之間;二極管D2的負(fù)極一方面連接鉗位電路一的輸入端,另一方面依次經(jīng)開關(guān)T2_on和開關(guān)T2_off連接至隔離型NMOS管QT2的源極;開關(guān)T2_on和開關(guān)T2_off之間的電性連接點(diǎn)連接隔離型NMOS管QT2的柵極。
進(jìn)一步的,所述鉗位電路一包括二極管D3、鉗位二極管Z1和電容CT1;所述控制電路一包括開關(guān)T1_on和開關(guān)T1_off;二極管D1的正極連接二極管D2的負(fù)極,二極管D1的負(fù)極經(jīng)鉗位二極管Z1的一端,二極管D3和鉗位二極管Z1之間的電性連接點(diǎn)經(jīng)開關(guān)T1_on連接隔離型NMOS管QT1的柵極;二極管Z1的另一端一方面連接隔離型NMOS管QT1的源極,另一方面經(jīng)開關(guān)T1_off連接隔離型NMOS管QT1的柵極;電容CT1并聯(lián)在鉗位二極管Z1兩端。
本發(fā)明還提供一種如上述的新型處理負(fù)壓AC信號的電子開關(guān)的控制方法,設(shè)隔離型NMOS管QT1的源極為節(jié)點(diǎn)T1,隔離型NMOS管QT2的源極為節(jié)點(diǎn)T2,隔離型NMOS管QT1的漏極和隔離型NMOS管QT2的漏極之間的電性連接點(diǎn)為節(jié)點(diǎn)MID;所述控制方法包括如下步驟:
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于成都市易沖半導(dǎo)體有限公司,未經(jīng)成都市易沖半導(dǎo)體有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110971997.5/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 信號調(diào)制方法、信號調(diào)制裝置、信號解調(diào)方法和信號解調(diào)裝置
- 亮度信號/色信號分離裝置和亮度信號/色信號分離方法
- 信號調(diào)制方法、信號調(diào)制裝置、信號解調(diào)方法和信號解調(diào)裝置
- 信號調(diào)制方法、信號調(diào)制裝置、信號解調(diào)方法和信號解調(diào)裝置
- 雙耳信號的信號生成
- 雙耳信號的信號生成
- 信號處理裝置、信號處理方法、信號處理程序
- USBTYPEC信號轉(zhuǎn)HDMI信號的信號轉(zhuǎn)換線
- 信號盒(信號轉(zhuǎn)換)
- 信號調(diào)制方法、信號調(diào)制裝置、信號解調(diào)方法和信號解調(diào)裝置





