[發明專利]一種基于拓撲光子高Q腔的MEMS壓力傳感器有效
| 申請號： | 202110971644.5 | 申請日： | 2021-08-24 |
| 公開（公告）號： | CN113639921B | 公開（公告）日： | 2023-05-12 |
| 發明（設計）人： | 郭芃;姜穎;鄔俊杰;馮立輝;盧繼華 | 申請（專利權）人： | 北京理工大學 |
| 主分類號： | G01L11/02 | 分類號： | G01L11/02;G01L9/08 |
| 代理公司： | 北京眾元弘策知識產權代理事務所(普通合伙) 11462 | 代理人： | 宋磊 |
| 地址： | 100081 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 拓撲 光子 mems 壓力傳感器 | ||
1.一種基于拓撲光子高Q腔的MEMS壓力傳感器，包括1個Si片梁，且該Si片梁與基臺連接，其特征在于：所述基臺材質為二氧化硅；其中，所述Si片梁為一有序列光子晶體板；所述光子晶體板上設有周期性圓孔陣列；
所述周期性圓孔陣列的周期為519.25nm，圓孔半徑為175nm；
所述光子晶體板為正多邊體且正多邊體的厚度為0.5um；
正多邊體的正多邊形的邊長為4且邊長范圍為20um～250um；
Si片梁為方片形且其約束為四邊約束；
Si片梁的厚度Z與檢測下限Y的關系為：
Y＝0.5625Z2-0.2457Z+0.0348；
且Z的單位為um，Y的單位為Pa；
Si片梁邊長X與檢測下限Y的關系為：Y＝816163X-3.002；X的單位為um，檢測下限Y的單位為Pa；
基臺正中有一個長方體孔洞；方片形Si片梁水平嵌入長方體孔洞中；
所述基于拓撲光子高Q腔的MEMS壓力傳感器的連接及工作過程如下：
步驟1、將所述MEMS壓力傳感器的Si片梁約束于長方體基臺里；
步驟2、將所述長方體基臺的上方接入一根光纖；
步驟3、將所述光纖連接一個光環形器；
步驟4、將所述光環形器連接光譜儀；
步驟5、當被檢測環境壓力發生改變時，所述Si片梁發生形變；
步驟6、光譜儀上顯示所述Si片梁發生形變對應的壓力值；
至此，從步驟1到步驟6，完成了使用一種基于拓撲光子高Q腔的MEMS壓力傳感器測試壓力連接及測試過程。
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