[發明專利]一種用于芯片的智能檢測方法有效
| 申請號: | 202110957249.1 | 申請日: | 2021-08-20 |
| 公開(公告)號: | CN113410154B | 公開(公告)日: | 2021-12-31 |
| 發明(設計)人: | 鄭梅枝 | 申請(專利權)人: | 廣州頂冠信息科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京冠和權律師事務所 11399 | 代理人: | 時嘉鴻 |
| 地址: | 510000 廣東省廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 芯片 智能 檢測 方法 | ||
1.一種用于芯片的智能檢測方法,其特征在于,包括:
步驟1:對目標芯片進行基礎檢測,當基礎檢測合格之后,按照所述目標芯片在不同環境下的執行屬性,對所述目標芯片進行區域劃分,并獲取每個區域的區域檢測列表;
步驟2:按照所述區域檢測列表,向對應區域分配檢測方式列表,并基于所述檢測方式列表中的檢測方式對所述區域檢測列表中的區域構件進行相應檢測,判斷所述目標芯片是否合格;
步驟1,對所述目標芯片進行基礎檢測,包括:
獲取所述目標芯片的芯片屬性,并根據所述芯片屬性向所述目標芯片分配檢測點;
獲取所述目標芯片上的同面上的檢測點,形成檢測面;
確定所述目標芯片上每個檢測面的檢測屬性,并基于所述檢測屬性匹配第一檢測方式,按照所述第一檢測方式,對對應檢測面上的檢測點進行單獨檢測;
根據每個檢測面的檢測屬性,確定是否存在將檢測面進行融合的檢測;
若存在,獲取融合的檢測面的檢測屬性,得到第一屬性,并匹配對應的第二檢測方式,按照所述第二檢測方式,對融合的檢測面進行綜合檢測;
將單獨檢測結果以及綜合檢測結果,輸入到基礎檢測模型中,實現對所述目標芯片的基礎檢測。
2.如權利要求1所述的用于芯片的智能檢測方法,其特征在于,步驟1,對所述目標芯片進行基礎檢測之前,還包括:
檢測制造所述目標芯片的芯片流程,并獲取每步流程對應的芯片增加部分;
獲取所述芯片流程中每步流程的流程屬性;
按照所述流程屬性匹配監測方式,并對對應的芯片增加部分進行監測,判斷所述芯片增加部分是否合格;
若合格,將所述芯片增加部分進行保留,并繼續后續的流程操作;
否則,判定所述目標芯片制造不合格,并進行報警提醒。
3.如權利要求2所述的用于芯片的智能檢測方法,其特征在于,當執行完所有步流程后,還包括:
基于第一檢測窗口對所述目標芯片的方向面進行第一定位,獲取所述方向面的第一檢測層;
基于第二檢測窗口對所述目標芯片的方向面進行第二定位,獲取所述方向面的第二檢測層;
將所述第一檢測層與第二檢測層進行重疊比較,判斷是否存在偏移,若存在,提取所述第一檢測層基于第二檢測層的第一偏移層以及第二檢測層基于第一檢測層的第二偏移層;
獲取所述第一偏移層的第一偏移線條集合,構建第一偏移向量,同時,獲取所述第二偏移層的第二偏移線條集合,構建第二偏移向量;
判斷所述第一偏移向量與第二偏移向量是否為平行狀態,若是,將所述第一檢測層和第二檢測層分別與標準層進行缺陷檢測比較,若存在缺陷,獲取所述缺陷的第一位置,若所述第一位置屬于無關位置,判定所述目標芯片的外觀合格;
若所述第一偏移向量與第二偏移向量為不平行狀態,根據重疊比較結果,獲取重疊特征,同時,分別獲取所述第一偏移層以及第二偏移層的偏移特征;
根據所述重疊特征以及偏移特征,重構所述目標芯片的外觀特征;
當所述外觀特征都滿足對應預設特征約束時,判定所述目標芯片的外觀合格;
否則,提取不滿足對應預設特征約束的待驗證特征,并得到所述待驗證特征的待驗證面;
獲取所述待驗證面上的待驗證缺陷痕跡,并對所述待驗證缺陷痕跡進行輪廓分析以及輪廓內深度分析,確定所述待驗證缺陷痕跡是否虛假缺陷,若是,判定所述目標芯片的外觀合格;
否則,判定所述目標芯片的外觀不合格。
4.如權利要求1所述的用于芯片的智能檢測方法,其特征在于,步驟1中,按照所述目標芯片在不同環境下的執行屬性,對所述目標芯片進行區域劃分之前,還包括:
從所述目標芯片的歷史測試平臺中,獲取歷史測試集合;
確定所述歷史測試集合中每個歷史測試方案的歷史測試側重指標,獲得指標集合;
對所述指標集合中的指標進行歸類分析,獲取在不同測試環境下的分析歸類結果,并獲得每類結果的可行測試屬性;
其中,所述可行測試屬性即為執行屬性。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





