[發明專利]磁性存儲裝置

在審

• 申請號: 202110947705.4
• 申請日: 2021-08-18
• 公開（公告）號: CN114203225A
• 公開（公告）日: 2022-03-18
• 發明（設計）人: 澤田和也;李永珉;及川忠昭;北川英二;磯田大河
• 申請（專利權）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號: G11C11/16
• 分類號: G11C11/16
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 楊林勳

本發明的實施方式提供一種能夠抑制磁阻效應元件的性能劣化的磁性存儲裝置。實施方式的磁性存儲裝置具備磁阻效應元件。磁阻效應元件包含第1鐵磁層、第2鐵磁層、第3鐵磁層、所述第1鐵磁層與所述第2鐵磁層之間的第1非磁性層、及第2鐵磁層與所述第3鐵磁層之間的第2非磁性層。第2鐵磁層位于第1鐵磁層與所述第3鐵磁層之間。第1非磁性層含有鎂(Mg)及氧(O)，第3鐵磁層含有硅(Si)或鍺(Ge)。

[相關申請]

本申請享有以日本專利申請2020-156153號(申請日：2020年9月17日)為基礎申請的優先權。本申請通過參照該基礎申請而包含基礎申請的全部內容。

技術領域

實施方式涉及一種磁性存儲裝置。

背景技術

已知有使用磁阻效應元件作為存儲元件的磁性存儲裝置(MRAM：Magnetoresistive Random Access Memory，磁阻式隨機存取存儲器)。

發明內容

實施方式提供一種能夠抑制磁阻效應元件的性能劣化的磁性存儲裝置。

實施方式的磁性存儲裝置具備磁阻效應元件。磁阻效應元件包含第1鐵磁層、第2鐵磁層、第3鐵磁層、所述第1鐵磁層與所述第2鐵磁層之間的第1非磁性層、及第2鐵磁層與所述第3鐵磁層之間的第2非磁性層。第2鐵磁層位于第1鐵磁層與所述第3鐵磁層之間。第1非磁性層含有鎂(Mg)及氧(O)，第3鐵磁層含有硅(Si)或鍺(Ge)。

附圖說明

圖1是用來說明實施方式的磁性存儲裝置的構成的框圖。

圖2是用來說明實施方式的磁性存儲裝置的存儲單元陣列的構成的電路圖。

圖3是用來說明實施方式的磁性存儲裝置的存儲單元陣列的構成的剖視圖。

圖4是用來說明實施方式的磁性存儲裝置的存儲單元陣列的構成的剖視圖。

圖5是用來說明實施方式的磁性存儲裝置的磁阻效應元件的構成的剖視圖。

圖6是用來說明實施方式的磁性存儲裝置中的磁阻效應元件的制造方法的示意圖。

圖7是用來說明實施方式的磁性存儲裝置中磁阻效應元件內的擴散抑制元素在退火處理前的分布的線圖。

圖8是用來說明實施方式的磁性存儲裝置中的磁阻效應元件的制造方法的示意圖。

圖9是用來說明實施方式的效果的線圖。

圖10是用來說明變化例的磁性存儲裝置的存儲單元陣列的構成的電路圖。

圖11是用來說明變化例的磁性存儲裝置的存儲單元的構成的剖視圖。

具體實施方式

以下，參照附圖對實施方式進行說明。此外，在以下說明中，對于具有相同功能及構成的構成要素標注共通的參照符號。另外，在對具有共通的參照符號的多個構成要素進行區分的情況下，對該共通的參照符號標注后綴來進行區分。此外，在無需對多個構成要素特別進行區分的情況下，僅對該多個構成要素標注共通的參照符號，而不標注后綴。此處，后綴并不限于下標文字或上標文字，例如還包括參照符號的末尾所添加的小寫字母、及表示排列的索引等。

1.實施方式