[發(fā)明專利]磁性存儲裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110947705.4 | 申請日： | 2021-08-18 |
| 公開（公告）號： | CN114203225A | 公開（公告）日： | 2022-03-18 |
| 發(fā)明（設計）人： | 澤田和也;李永珉;及川忠昭;北川英二;磯田大河 | 申請（專利權）人： | 鎧俠股份有限公司 |
| 主分類號： | G11C11/16 | 分類號： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人： | 楊林勳 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 磁性 存儲 裝置 | ||
1.一種磁性存儲裝置，其特征在于具備磁電阻效應器件，
所述磁電阻效應器件包括：
第1鐵磁層、
第2鐵磁層、
第3鐵磁層、
所述第1鐵磁層與所述第2鐵磁層之間的第1非磁性層、以及
所述第2鐵磁層與所述第3鐵磁層之間的第2非磁性層，
所述第2鐵磁層位于所述第1鐵磁層與所述第3鐵磁層之間，
所述第1非磁性層含有鎂以及氧，且
所述第3鐵磁層含有硅或鍺。
2.根據(jù)權利要求1所述的磁性存儲裝置，其特征在于：所述第1鐵磁層及所述第2鐵磁層含有鐵。
3.根據(jù)權利要求2所述的磁性存儲裝置，其特征在于：所述第1鐵磁層是磁化方向可以變化的鐵磁層，且
所述第2鐵磁層是磁化方向固定的鐵磁層。
4.根據(jù)權利要求2所述的磁性存儲裝置，其特征在于：所述第1鐵磁層是存儲層，且
所述第2鐵磁層是參考層。
5.根據(jù)權利要求1所述的磁性存儲裝置，其特征在于：所述磁電阻效應器件還包括含有硅或鍺的第3非磁性層，且
所述第3鐵磁層設置在所述第2非磁性層與所述第3非磁性層之間。
6.根據(jù)權利要求5所述的磁性存儲裝置，其特征在于：所述第3鐵磁層包括：
第1層，含有鈷，并且與所述第2非磁性層相接；以及
第2層，含有鉑，并且與所述第3非磁性層相接。
7.根據(jù)權利要求5所述的磁性存儲裝置，其特征在于：所述第3非磁性層還含有硼。
8.根據(jù)權利要求7所述的磁性存儲裝置，其特征在于：所述磁電阻效應器件還包括含有鉭(Ta)的第4非磁性層，并且
所述第4非磁性層設置在所述第3非磁性層的與所述第1非磁性層側相反的一側。
9.根據(jù)權利要求8所述的磁性存儲裝置，其特征在于：所述磁電阻效應器件還包括含有硼與鉿的第5非磁性層，且
所述第5非磁性層設置在所述第4非磁性層的與所述第1非磁性層側相反的一側。
10.根據(jù)權利要求1所述的磁性存儲裝置，其特征在于：所述第2非磁性層含有選自釕、鋨、銠、銥、釩及鉻中的至少1種元素。
11.根據(jù)權利要求10所述的磁性存儲裝置，其特征在于：所述第2鐵磁層及所述第3鐵磁層具有彼此反平行的磁化方向。
12.根據(jù)權利要求2所述的磁性存儲裝置，其特征在于：所述第2鐵磁層具有：
第1層，含有鐵，并且與所述第1非磁性層相接；以及
第2層，含有鈷，且與所述第2非磁性層相接。
13.根據(jù)權利要求1所述的磁性存儲裝置，其特征在于：
所述磁電阻效應器件的電阻值是：在從所述第1鐵磁層向所述第2鐵磁層的第1電流流動的情形時，成為第1電阻值，在從所述第2鐵磁層向所述第1鐵磁層的第2電流流動的情形時，成為與所述第1電阻值不同的第2電阻值。
14.根據(jù)權利要求13所述的磁性存儲裝置，其特征在于：所述第1電阻值小于所述第2電阻值。
15.根據(jù)權利要求1所述的磁性存儲裝置，其特征在于：所述磁性存儲裝置具備存儲單元，所述存儲單元包含：
所述磁電阻效應器件；以及
開關器件，與所述磁電阻效應器件串聯(lián)連接。
16.根據(jù)權利要求15所述的磁性存儲裝置，其特征在于：所述開關器件是雙端子型開關器件。
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