[發明專利]一種用于抑制鋰枝晶的具有氧缺陷的氧化物涂層及其制備方法在審
| 申請號： | 202110942698.9 | 申請日： | 2021-08-17 |
| 公開（公告）號： | CN113659282A | 公開（公告）日： | 2021-11-16 |
| 發明（設計）人： | 馬玉林;木天勝;魯泓甫;徐星;譚思平;尹鴿平;魏俊華 | 申請（專利權）人： | 哈爾濱工業大學 |
| 主分類號： | H01M50/403 | 分類號： | H01M50/403;H01M50/431;H01M50/449;H01M4/38;H01M4/62;H01M4/66;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 哈爾濱市偉晨專利代理事務所(普通合伙) 23209 | 代理人： | 趙君 |
| 地址： | 150001 黑龍*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 抑制 鋰枝晶 有氧 缺陷 氧化物 涂層 及其 制備 方法 | ||
1.一種用于抑制鋰枝晶的具有氧缺陷的氧化物涂層的制備方法，其特征在于：包括如下步驟：
步驟1、將氧化物顆粒在還原氣氛中高溫燒結，得到燒結后的氧化物顆粒，待用；
步驟2、將步驟1得到的燒結后的氧化物顆粒與粘結劑混合均勻后，得到漿料，待用；
步驟3、將步驟2得到的漿料涂于鋰金屬、銅集流體或者隔膜表面，烘干后得到用于抑制鋰枝晶的具有氧缺陷的氧化物涂層。
2.根據權利要求1所述的一種用于抑制鋰枝晶的具有氧缺陷的氧化物涂層的制備方法，其特征在于：步驟1中氧化物顆粒包括二氧化鈦、五氧化二鈮、氧化鋅、氧化硅、氧化鉬、五氧化二釩中的一種，所述的氧化物顆粒尺寸分布為20～2000nm。
3.根據權利要求2所述的一種用于抑制鋰枝晶的具有氧缺陷的氧化物涂層的制備方法，其特征在于：步驟1中所述的還原氣氛為氫氣、氫氣和氬氣的混合氣體中的一種。
4.根據權利要求3所述的一種用于抑制鋰枝晶的具有氧缺陷的氧化物涂層的制備方法，其特征在于：步驟1中高溫燒結溫度為400～900℃，燒結時間為1～10h。
5.根據權利要求4所述的一種用于抑制鋰枝晶的具有氧缺陷的氧化物涂層的制備方法，其特征在于：步驟2中的粘結劑為聚偏氟乙烯、羧甲基纖維素、聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸酯、丁苯橡膠中的一種。
6.根據權利要求5所述的一種用于抑制鋰枝晶的具有氧缺陷的氧化物涂層的制備方法，其特征在于：步驟2中的燒結后的氧化物顆粒與粘結劑的質量比為5～9:1。
7.根據權利要求6所述的一種用于抑制鋰枝晶的具有氧缺陷的氧化物涂層的制備方法，其特征在于：步驟2中燒結后的氧化物顆粒與粘結劑通過攪拌混合均勻，攪拌轉速100～500r/min，攪拌時間10～100min。
8.根據權利要求7所述的一種用于抑制鋰枝晶的具有氧缺陷的氧化物涂層的制備方法，其特征在于：步驟3中烘干溫度為60～120℃，烘干時間為2～12h。
9.一種權利要求1-8之一所述的一種用于抑制鋰枝晶的具有氧缺陷的氧化物涂層的制備方法制備的一種用于抑制鋰枝晶的具有氧缺陷的氧化物涂層，其特征在于：所述的用于抑制鋰枝晶的具有氧缺陷的氧化物涂層的厚度為20～100μm。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于哈爾濱工業大學，未經哈爾濱工業大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110942698.9/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
