[發(fā)明專利]一種降低多晶硅還原爐輻射熱損失的方法和應(yīng)用

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110941151.7
• 申請(qǐng)日: 2021-08-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113526510A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-10-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 聶陟楓;王亞君;王晨;郭崎均;謝剛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 昆明學(xué)院
• 主分類號(hào): C01B33/03
• 分類號(hào): C01B33/03;C03C10/14;C03B19/06;C03B25/00
• 代理公司: 昆明同聚專利代理有限公司 53214
• 代理人: 謝丹丹

1.一種降低多晶硅還原爐輻射熱損失的方法，其特征在于，在多晶硅還原爐的爐體內(nèi)壁涂鍍石英陶瓷內(nèi)襯材料，所述石英陶瓷內(nèi)襯材料以非晶石英或結(jié)晶石英或二者的混合物為原料制備而成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低多晶硅還原爐輻射熱損失的方法，其特征在于：在多晶硅還原爐的爐體內(nèi)壁涂鍍一層以上的由不同原料構(gòu)成的石英陶瓷內(nèi)襯材料。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低多晶硅還原爐輻射熱損失的方法，其特征在于：石英陶瓷內(nèi)襯材料的顆粒粒徑范圍為50 nm~300 μm，孔隙率為1%~90%，二氧化硅純度在99.99%以上，石英陶瓷內(nèi)襯材料的熔點(diǎn)為1723 ℃，密度為2.2 g/cm³，熱膨脹系數(shù)為12.3×10^-6 K^-1，熱導(dǎo)率為0.2~1.6 W/m?K。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低多晶硅還原爐輻射熱損失的方法，其特征在于：所述石英陶瓷內(nèi)襯材料使用膠體處理方法得到，具體步驟如下：

①將未加工的非晶或結(jié)晶石英研磨至顆粒粒徑為50 nm~300 μm，然后再將研磨后的石英顆粒分散到膠體溶液中；

②再將分散到膠體溶液后的石英顆粒模制成型材或面板，然后經(jīng)干燥、燒結(jié)和退火處理；

③將制備好的型材或面板進(jìn)行機(jī)械加工或結(jié)構(gòu)修改，以引入鎖緊元件，從而得到石英陶瓷內(nèi)襯材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低多晶硅還原爐輻射熱損失的方法，其特征在于：所述多晶硅還原爐為改良西門子法多晶硅還原爐。

6.權(quán)利要求1~5所述的降低多晶硅還原爐輻射熱損失的方法，其特征在于，在改良西門子法化學(xué)氣相沉積中的應(yīng)用。