[發明專利]RF MOS器件的在片測試結構的去嵌方法在審
| 申請號： | 202110913198.2 | 申請日： | 2021-08-10 |
| 公開（公告）號： | CN113655360A | 公開（公告）日： | 2021-11-16 |
| 發明（設計）人： | 陳靜;謝甜甜;王青;呂迎歡;葛浩 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海微系統與信息技術研究所 |
| 主分類號： | G01R31/26 | 分類號： | G01R31/26;G01R1/02 |
| 代理公司： | 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孫佳胤 |
| 地址： | 200050 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | rf mos 器件 測試 結構 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種RF MOS器件的在片測試結構的去嵌方法，其特征在于，包括如下步驟：
在同一襯底上同時形成待測器件，以及相對應的引腳結構、開路結構、短路結構以及直通結構；
分別對上述待測器件、引腳結構、開路結構、短路結構、直通結構進行S參數測試，得到S參數；
利用電磁仿真模型仿真一個金屬條阻抗，該金屬條用于模擬所述短路結構中用于共地互連的金屬阻抗，得到該金屬條的Z參數以及長度為L的金屬條的阻抗值ZL，算出實際短路結構引入的阻抗Zs＝L1/L*ZL；
利用所獲得的實際短路結構引入的阻抗Zs，將S參數轉換為Y參數。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述S參數包括待測器件的S參數Smea、引腳結構的S參數Spad、開路結構的S參數Sopen、短路結構的S參數Sshort、以及直通結構的S參數Sthru。
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述Y參數包括待測器件的Y參數Ymea、引腳結構的Y參數Ypad、以及短路結構的Y參數Yshort。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，Smea轉換為Ymea，Spad轉換為Ypad，Sshort轉換為Yshort。
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