[發(fā)明專利]帶有壓力和加速度傳感器元件的半導(dǎo)體管芯

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110909601.4
• 申請(qǐng)日: 2021-08-09
• 公開（公告）號(hào): CN114132887A
• 公開（公告）日: 2022-03-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: S·比塞爾特;D·邁因霍爾德
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 英飛凌科技德累斯頓公司
• 主分類號(hào): B81B7/02
• 分類號(hào): B81B7/02;B81C1/00;G01L9/06;G01P15/125
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 閆昊

本公開的實(shí)施例涉及帶有壓力和加速度傳感器元件的半導(dǎo)體管芯。提出了一種半導(dǎo)體管芯，其中該半導(dǎo)體管芯具有半導(dǎo)體芯片。半導(dǎo)體芯片包括壓阻式壓力傳感器元件和至少一個(gè)電容式加速度傳感器元件。壓阻式壓力傳感器元件布置在電容式加速度傳感器元件旁邊。還提出了一種用于制造半導(dǎo)體管芯的方法，其中將絕緣層施加到半導(dǎo)體晶片上，其中通過將絕緣層結(jié)構(gòu)化來暴露單晶覆蓋層的間隔，其中通過沉積半導(dǎo)體材料生成半導(dǎo)體層，并且其中半導(dǎo)體層具有單晶部段和多晶部段。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種傳感器和用于制造傳感器的半導(dǎo)體管芯。

背景技術(shù)

現(xiàn)代傳感器被越來越多地基于半導(dǎo)體管芯制造。在成熟的半導(dǎo)體工藝技術(shù)的幫助下，許多功能單元通過加工半導(dǎo)體晶片而被共同制造，其中加工后的半導(dǎo)體晶片然后被分成多個(gè)半導(dǎo)體管芯，這些半導(dǎo)體管芯構(gòu)成各個(gè)傳感器的基礎(chǔ)。

通常應(yīng)利用傳感器同時(shí)測(cè)量加速度和壓力。

因此，在US 2015/035093A1中提出隨慣性傳感器一起制造電容壓力傳感器。US7972888B1中描述了一種用于制造MEMS傳感器的方法，該傳感器包括壓阻式壓力傳感器和壓阻式加速度傳感器。

同樣，在US 2015/096376 A1中提出在單個(gè)半導(dǎo)體芯片中組合慣性傳感器和壓力傳感器。已知的壓力傳感器布置在已知的慣性傳感器上方并且被設(shè)計(jì)為電容式壓力傳感器。在可替代的、但未在US2015/096376A1中明確描述的實(shí)施例中，將壓敏電阻器應(yīng)用在已知壓力傳感器的隔膜上。

為了制造US 2015/096376 A1中描述的傳感器，需要諸多工藝步驟，這使得已知傳感器的制造變得復(fù)雜。

發(fā)明內(nèi)容

因此，需要既具有壓力傳感器元件又具有加速度傳感器元件的傳感器，其特征在于改進(jìn)的可制造性。

為了滿足這種需要，提出了根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體管芯和用于制造半導(dǎo)體管芯的方法。在以下內(nèi)容中給出了有利的改進(jìn)。

提出了一種半導(dǎo)體管芯，該半導(dǎo)體管芯包括半導(dǎo)體芯片。半導(dǎo)體芯片包括壓阻式壓力傳感器元件和至少一個(gè)電容式加速度傳感器元件。壓阻式壓力傳感器元件布置在電容式加速度傳感器元件的旁邊。

還提出了一種用于制造半導(dǎo)體管芯的方法，其中將絕緣層施加到半導(dǎo)體晶片上，其中通過將絕緣層結(jié)構(gòu)化來暴露單晶覆蓋層的一個(gè)部段，其中通過沉積半導(dǎo)體材料來生成半導(dǎo)體層，并且其中半導(dǎo)體層具有單晶部段和多晶部段。

附圖說明

現(xiàn)在將參考附圖更詳細(xì)地解釋所提出的半導(dǎo)體管芯和所提出的方法。其中：

圖1示出了晶片；

圖2示出了加工之后的圖1中的晶片；

圖3示出了加工之后的圖2中的晶片；

圖4示出了加工之后的圖3中的晶片；

圖5示出了加工之后的圖4中的晶片；

圖6示出了加工之后的圖5中的晶片；

圖7示出了加工之后的圖6中的晶片；

圖8示出了鍵合之后的圖7中的晶片；

圖9示出了加工之后的圖8中的晶片；

圖10示出了一個(gè)傳感器；

圖11示出了傳感器的制造方法；和

圖12示出了一個(gè)傳感器。

具體實(shí)施方式