[發(fā)明專利]碳納米管透明導(dǎo)電膜的制備方法及裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110909542.0 | 申請日: | 2021-08-09 |
| 公開(公告)號: | CN113493897A | 公開(公告)日: | 2021-10-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 沈文晴;其他發(fā)明人請求不公開姓名 | 申請(專利權(quán))人: | 蘇州研烯科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/06 | 分類號: | C23C14/06;C23C14/32;C23C14/54;C23C14/56 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 215200 江蘇省蘇州市吳江經(jīng)濟(jì)技術(shù)*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 納米 透明 導(dǎo)電 制備 方法 裝置 | ||
1.碳納米管透明導(dǎo)電膜的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
S1:將柔性基材(1)按導(dǎo)輥繞卷裝置(9)和水冷鍍膜輥(3)的走線圖穿好,張力張緊;
S2:裝好陰極石墨電極(4002)和陽極石墨催化電極(4003);
S3:關(guān)閉放卷室(2)、鍍膜室(4)、后處理室(7)及收卷室(8)等各設(shè)備門,開始抽真空;
S4:打開工藝氣流管道(4004)和沉積氣流管道氣體(4005);
S5:打開后處理室(7)的氣體,控制氣流速度和乙醇含量;
S6:接通低壓直流電源(6);
S7:打開導(dǎo)輥卷繞裝置(9),根據(jù)要求控制線速度,通過在線電阻檢測儀(10)實(shí)時監(jiān)控電阻變化,本方法制備的碳納米管透明導(dǎo)電膜的表面電阻為110~530Ω/sq,透光率為94.3%~98.1%,電阻均一性為±10%。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳納米管透明導(dǎo)電膜的制備方法,其特征在于,在所述步驟S2中,陰極石墨電極(4002)和陽極石墨催化電極(4003)的控制間距精度達(dá)±0.1mm,安裝數(shù)量根據(jù)柔性基材(1)寬幅確定,且大于需要鍍膜的寬度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳納米管透明導(dǎo)電膜的制備方法,其特征在于,在所述步驟S3中,所述放卷室(2)和收卷室(8)等設(shè)備門內(nèi)抽真空至鍍膜室(4)的真空度到達(dá)小于5.0×10-6mbar,在所述步驟S4中,所述鍍膜室(4)的氣壓穩(wěn)定在0.01~0.1MPa,調(diào)節(jié)沉積氣體管道(4005)內(nèi)混合氣體氣流速度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳納米管透明導(dǎo)電膜的制備方法,其特征在于,在所述步驟S6中,調(diào)整各組陽極和陰極之間的電流在50~100A,具體參數(shù)根據(jù)鍍膜產(chǎn)品性能進(jìn)行調(diào)整。
5.一種碳納米管透明導(dǎo)電膜的制備裝置,其特征在于,包括柔性基材(1)、放卷室(2)、水冷鍍膜輥(3)、多個鍍膜室(4)、真空泵系統(tǒng)(5)、低壓直流電源(6)、后處理室(7)、收卷室(8)、導(dǎo)輥繞卷裝置(9)和在線電阻檢測儀(10);
所述鍍膜室(4)包含兩個電極底座(4001)、多個陰極石墨電極(4002)、多個陽極石墨催化電極(4003)、工藝氣流管道(4004)和沉積氣體管道(4005);
所述真空泵系統(tǒng)(5)包含羅茨泵(501)、分子泵(502)和多個真空傳感器(503)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的碳納米管透明導(dǎo)電膜的制備裝置,其特征在于,所述柔性基材(1)卷繞于導(dǎo)輥繞卷裝置(9)上,所述導(dǎo)輥繞卷裝置(9)設(shè)置于放卷室(2)、水冷鍍膜輥(3)和收卷室(8)之間,所述水冷鍍膜輥(3)設(shè)置于放卷室(2)和收卷室(8)之間,所述柔性基材(1)與水冷鍍膜輥(3)的外壁滑動連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的碳納米管透明導(dǎo)電膜的制備裝置,其特征在于,所述在線電阻檢測儀(10)設(shè)置于水冷鍍膜輥(3)的一邊側(cè),所述真空泵系統(tǒng)(5)和低壓直流電源(6)設(shè)置于鍍膜室(4)的外部,多個所述鍍膜室(4)和后處理室(7)呈環(huán)形陣列設(shè)置于水冷鍍膜輥(3)外壁一邊側(cè)。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的碳納米管透明導(dǎo)電膜的制備裝置,其特征在于,所述低壓直流電源(6)分別與陰極石墨電極(4002)和陽極石墨催化電極(4003)相背兩端的兩個電極底座(4001)電性連接,所述陰極石墨電極(4002)和陽極石墨催化電極(4003)的電極均安裝于電極底座(4001)上。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的碳納米管透明導(dǎo)電膜的制備裝置,其特征在于,其中多個所述真空傳感器(503)設(shè)置分別設(shè)置于多個鍍膜室(4)的內(nèi)腔,所述工藝氣流管道(4004)設(shè)置于鍍膜室(4)的內(nèi)腔,所述沉積氣體管道(4005)設(shè)置于陰極石墨電極(4002)和陽極石墨催化電極(4003)間距的正上方,所述沉積氣體管道(4005)包含多個氣體分布器(40051)和多個微孔陶瓷濾板(40052),微孔陶瓷濾板(40052)固定于氣體分布器(40051)的外壁。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的碳納米管透明導(dǎo)電膜的制備裝置,其特征在于,所述水冷鍍膜輥(3)為不銹鋼材質(zhì),所述水冷鍍膜輥(3)的內(nèi)腔設(shè)置有循環(huán)冷凝液,所述鍍膜室(4)和水冷鍍膜輥(3)之間的間距為5~20cm,優(yōu)選10~15cm,所述放卷室(2)和收卷室(8)的內(nèi)腔設(shè)置有撕膜/覆膜機(jī)構(gòu)。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
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