[發明專利]顯示設備及其形成方法在審
| 申請號: | 202110906763.2 | 申請日: | 2017-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN113629097A | 公開(公告)日: | 2021-11-09 |
| 發明(設計)人: | 胡順源;許嘉修;趙明義;林明昌;顏子旻;謝朝樺 | 申請(專利權)人: | 群創光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 郭蔚 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科學工*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 設備 及其 形成 方法 | ||
1.一種顯示設備的形成方法,包括:
提供一基板,其中該基板上設置有多個接合墊;
形成一粘合層于該基板上并覆蓋該多個接合墊;
利用一光刻制程形成一圖案化粘合層以對應該多個接合墊;
經由該圖案化粘合層將一發光單元接合至少一接合墊。
2.如權利要求1所述的顯示設備的形成方法,其特征在于,將該發光單元接合至少一接合墊的步驟包括進行一固化制程以固化該圖案化粘合層。
3.如權利要求1所述的顯示設備的形成方法,其特征在于,該發光單元包括:
一第一導體層與一第二導體層相互重疊;
一第一半導體層,設置于該第一導體層與該第二導體層之間;
一第二半導體層,設置于該第一半導體層與該第一導體層之間;
一量子井結構,設置于該第一半導體層與該第二半導體層之間;
一貫穿孔,貫穿該第一半導體層及該量子井結構;以及
一導電材料,設置于該貫穿孔中,
其中,該第二導體層經由該導電材料電性連接該第二半導體層。
4.一種顯示設備,包括:
一基板;
一第一發光單元及一第二發光單元,設置于該基板上,該第一發光單元相鄰該第二發光單元,其中,在一第一方向上,該第一發光單元具有一長度P1,且該第一發光單元與該第二發光單元具有一間距Z1;
一第一粘合層設置于該基板與該第一發光單元之間,一第二粘合層設置于該基板與該第二發光單元之間,其中,在該第一方向上,該第一粘合層與該第二粘合層具有一間距Z3,
其中,Z1、Z3與P1符合以下公式:
0Z3(Z1+P1),且Z1、Z3及P1皆大于0微米。
5.如權利要求4所述的顯示設備,更包括一像素,該第一發光單元及該第一粘合層對應該像素設置。
6.如權利要求5所述的顯示設備,更包括:
一第三發光單元以及一第四發光單元,其中該第三發光單元以及該第四發光單元對應該像素設置。
7.如權利要求4所述的顯示設備,其特征在于,該第一發光單元包括:
一第一導體層與一第二導體層相互重疊;
一第一半導體層,設置于該第一導體層與該第二導體層之間;
一第二半導體層,設置于該第一半導體層與該第一導體層之間;
一量子井結構,設置于該第一半導體層與該第二半導體層之間;
一貫穿孔,貫穿該第一半導體層及該量子井結構;以及
一導電材料,設置于該貫穿孔中,
其中,該第二導體層經由該導電材料電性連接該第二半導體層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





