[發明專利]一種單晶硅片的制絨方法及應用

在審

• 申請號: 202110901704.6
• 申請日: 2021-08-06
• 公開（公告）號: CN113529174A
• 公開（公告）日: 2021-10-22
• 發明（設計）人: 張麗娟;錢恩亮;周樹偉;周天翔;章圓圓;陳培良;符黎明
• 申請（專利權）人: 常州時創能源股份有限公司
• 主分類號: C30B33/10
• 分類號: C30B33/10;C30B29/06;H01L31/18;H01L31/0236
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.對單晶硅片進行第一次制絨，在硅片表面形成類金字塔結構；

對單晶硅片進行第N次制絨，在硅片表面的類金字塔結構上形成細微納米結構，其中N≥2；

第一次制絨的制絨液包括第一制絨添加劑和第一堿溶液的混合溶液，第N次制絨的制絨液包括第二制絨添加劑和第二堿溶液的混合溶液，所述第一制絨添加劑和所述第二制絨添加劑的組分可相同或不相同。

2.根據權利要求1所述的單晶硅片的制絨方法，其特征在于，

第一次制絨步驟中，制絨液中第一制絨添加劑的質量百分比濃度為0.1~1.0%，第一堿溶液的質量百分比濃度為0.5~5%，制絨溫度為80~85℃，制絨時間為250~350s；

第N次制絨步驟中，制絨液中第二制絨添加劑的質量百分比濃度為0.1~0.6%，第二堿溶液的質量百分比濃度為0.5~3%，制絨溫度為75~85℃，制絨時間為50~150s。

3.根據權利要求2所述的單晶硅片的制絨方法，其特征在于，第一次制絨的制絨液還包括第三制絨添加劑，第N次制絨的制絨液還包括第四制絨添加劑，所述第一制絨添加劑和所述第二制絨添加劑用于制絨液的初始液，所述第三制絨添加劑和所述第四制絨添加劑用于制絨過程的補加液，所述第一制絨添加劑、所述第二制絨添加劑、所述第三制絨添加劑與所述第四制絨添加劑的組分可相同或不相同。

4.根據權利要求3所述的單晶硅片的制絨方法，其特征在于，所述第一制絨添加劑、所述第二制絨添加劑、所述第三制絨添加劑與所述第四制絨添加劑均由絨面成核劑、絨面緩蝕劑、微結構修飾劑、穩定劑以及余量的去離子水組成，通過調整絨面成核劑、絨面緩蝕劑、微結構修飾劑以及穩定劑中的各組分使其相同或不相同。

5.根據權利要求1所述的單晶硅片的制絨方法，其特征在于，在對單晶硅片進行第一次制絨之前還包括對單晶硅片進行預清洗。

6.根據權利要求5所述的單晶硅片的制絨方法，其特征在于，所述預清洗的溶液為質量百分比濃度0.5~3%的無機堿水溶液與質量百分比濃度1~10%雙氧水或質量百分比濃度0.1~1%的清洗劑所組成的混合液。

7.根據權利要求5所述的單晶硅片的制絨方法，其特征在于，在對硅片進行預清洗之前還包括對單晶硅片進行粗拋處理。

8.根據權利要求7所述的單晶硅片的制絨方法，其特征在于，所述粗拋處理的溶液為質量百分比濃度0.1~5%的無機堿性水溶液，溫度60~80℃，時間60~180s。

9.一種單晶硅太陽能電池，其特征在于，包括單晶硅片，所述單晶硅片的表面絨面采用如權利要求1-8中任一項所述的單晶硅片的制絨方法制得。