[發明專利]氧化鎂負載的釕催化劑生長粉體單壁碳納米管的方法

有效

• 申請號: 202110890940.2
• 申請日: 2021-08-04
• 公開（公告）號: CN113578315B
• 公開（公告）日: 2023-10-17
• 發明（設計）人: 何茂帥;張雪婷;武倩汝;李棟;趙楠;馬辰
• 申請（專利權）人: 青島科技大學
• 主分類號: B01J23/46
• 分類號: B01J23/46;B01J21/10;B01J32/00;B01J35/10;B01J37/02;C01B32/162;C01B32/159;H10K85/20
• 代理公司: 濟南圣達知識產權代理有限公司 37221
• 代理人: 鄭平

1.一種氧化鎂負載的釕催化劑，其特征在于，包括：

氧化鎂載體；

負載在氧化鎂載體上的金屬釕。

2.一種氧化鎂負載的釕催化劑的方法，其特征在于，包括：

以含釕元素的鹽和氧化鎂為原料采用浸漬法制備了Ru/MgO催化劑。

3.如權利要求2所述的氧化鎂負載的釕催化劑的方法，其特征在于，所述浸漬法的具體步驟為：將含釕元素的鹽和氧化鎂溶解在溶劑中，攪拌2～6h，烘干，研磨，得到氧化鎂負載的釕催化劑。

4.如權利要求2所述的氧化鎂負載的釕催化劑的方法，其特征在于，含釕元素的鹽和氧化鎂的質量比為0.3：1～3、優選為0.3：2。

5.如權利要求2所述的氧化鎂負載的釕催化劑的方法，其特征在于，氧化鎂的制備方法為：取堿式碳酸鎂4MgCO₃·Mg(OH)₂·5H₂O在400～500℃煅燒1～2h，得到MgO粉末。

6.一種氧化鎂負載的釕催化劑生長粉體單壁碳納米管的方法，其特征在于，包括：

以含釕元素的鹽和氧化鎂為原料采用浸漬法制備了Ru/MgO催化劑；

以所述Ru/MgO催化劑為催化劑，采用CVD法合成SWNTs。

7.如權利要求6所述氧化鎂負載的釕催化劑生長粉體單壁碳納米管的方法，其特征在于，CVD法合成SWNTs的具體步驟為：

取Ru/MgO催化劑放入石英舟中，將石英舟置于雙溫區滑軌式CVD系統的石英管中，確保其處于雙溫區滑軌爐的中部；通入惰性氣體排除裝置內的空氣；升溫800～1000℃，停止通入惰性氣體，改通CO進行SWNTs的生長反應，反應結束后，先關閉CO改通惰性氣體，降溫，關閉惰性氣體，取出石英舟，得到SWNTs粗品。

8.如權利要求7所述氧化鎂負載的釕催化劑生長粉體單壁碳納米管的方法，其特征在于，所述惰性氣體為Ar、N₂、He、Ne中的至少一種，優選的，為Ar。

9.權利要求6-8任一項所述的方法制備的單壁碳納米管。

10.權利要求9所述的單壁碳納米管在納米電子器件和光電子器件領域中的應用。