[發明專利]一種半球諧振子濺射鍍膜均勻性評價裝置及評價方法

在審

• 申請號: 202110886355.5
• 申請日: 2021-08-03
• 公開（公告）號: CN113639691A
• 公開（公告）日: 2021-11-12
• 發明（設計）人: 黃帥;王建青;何曉霞;黨建軍;張培新;柳凱
• 申請（專利權）人: 西安航天精密機電研究所
• 主分類號: G01B21/08
• 分類號: G01B21/08
• 代理公司: 西安智邦專利商標代理有限公司 61211
• 代理人: 王楊洋

1.一種半球諧振子濺射鍍膜均勻性評價裝置，其特征在于：

包括平行鍍膜工裝(1)和(M×N)個硅片(2)；其中，M≥2，N≥2；

所述平行鍍膜工裝(1)，作為待鍍半球諧振子的平行試件，其外形尺寸與待鍍半球諧振子的外形尺寸相同，包括中心桿和固連于中心桿上的半球殼體；

所述半球殼體上沿其經線方向均布有M列臺階孔組，每列臺階孔組均布有N個臺階孔，在半球殼體上形成(M×N)個臺階孔；

所述硅片(2)的尺寸與臺階孔的大端尺寸相等；

(M×N)個硅片(2)分別粘接于(M×N)個臺階孔內。

2.根據權利要求1所述的半球諧振子濺射鍍膜均勻性評價裝置，其特征在于：

還包括2(M×N)個硅片掩模(3)，分別粘貼于(M×N)個硅片(2)的正反兩面；

每個硅片掩模(3)上均勻分布有L個鏤空條紋；所述L≥2。

3.根據權利要求2所述的半球諧振子濺射鍍膜均勻性評價裝置，其特征在于：

所述硅片(2)的正反兩面均平整。

4.根據權利要求3所述的半球諧振子濺射鍍膜均勻性評價裝置，其特征在于：

所述平行鍍膜工裝(1)為金屬合金材質；

所述硅片(2)為純硅；

所述硅片掩模(3)采用耐高溫、無揮發膠帶。

5.根據權利要求4所述的半球諧振子濺射鍍膜均勻性評價裝置，其特征在于：

所述平行鍍膜工裝(1)為不銹鋼材質。

6.根據權利要求5所述的半球諧振子濺射鍍膜均勻性評價裝置，其特征在于：

所述硅片掩模(3)采用聚酰亞胺薄膜膠帶。

7.根據權利要求2至6任一所述的半球諧振子濺射鍍膜均勻性評價裝置，其特征在于，所述M、N和L的取值范圍分別為：

3≤M≤6；3≤N≤5；3≤L≤5。

8.根據權利要求7所述的半球諧振子濺射鍍膜均勻性評價裝置，其特征在于，所述M、N和L的取值分別為：

M＝4；N＝4；L＝3。