[發明專利]半導體元件及其制造方法

在審

• 申請號: 202110879916.9
• 申請日: 2021-08-02
• 公開（公告）號: CN114121834A
• 公開（公告）日: 2022-03-01
• 發明（設計）人: 黃則堯
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

本公開提供一種半導體元件及其制備方法。該半導體元件包括一基底；一第一鈍化層，設置在該基底上；一重布線層，設置在該第一鈍化層上；一第一調整層，設置在該重布線層上；一焊墊層，設置在該第一調整層上；以及一第二調整層，設置在該焊墊層以及該第一調整層之間。該第一調整層以及該第二調整層包含石墨烯。

技術領域

本申請案主張2020年9月1日申請的美國正式申請案第17/008,983號的優先權及益處，該美國正式申請案的內容以全文引用的方式并入本文中。

本公開是關于一種半導體元件及其制備方法。特別是有關于一種具有石墨烯層的半導體元件及其制備方法。

背景技術

對于許多現代應用，半導體元件是不可以或缺的。舉例而言，半導體元件是廣泛地運用在各種電子應用中，例如個人電腦、移動電話、數碼相機以及其他電子設備。再者，隨著電子科技的進步，半導體元件的尺寸變得越來越小，于此同時提供較佳的功能以及包含較大的集成電路數量。然而，隨著半導體元件的按比例縮小，鄰近導電元件之間的間隔是逐漸縮小，其是可以縮減內連接結構的制程裕度(process window)。因此，在半導體元件中制造內連接結構則越來越困難。因此，在提高品質、良率、效能以及可以靠性以及降低復雜性的方面仍持續存在挑戰性。

上文的「先前技術」說明僅是提供背景技術，并未承認上文的「先前技術」說明揭示本公開的標的，不構成本公開的先前技術，且上文的「先前技術」的任何說明均不應作為本案的任一部分。

發明內容

本公開提供一種半導體元件，包括一基底，在該基底上設置的一第一鈍化層，在該第一鈍化層上設置的一重布線層，在該重布線層上設置的一第一調整層，在該第一調整層上設置的一焊墊層，以及在該焊墊層以及該第一調整層之間設置的一第二調整層。該第一調整層以及該第二調整層包含石墨烯。

在一些實施例中，該焊墊層具有一下部以及一上部，該下部設置在該第一調整層上以及該上部設置在該下部上。

在一些實施例中，該第二調整層設置在該焊墊層的該下部以及該第一調整層之間，設置在該焊墊層的該下部的側壁上，以及設置在該焊墊層的上部的底面上。

在一些實施例中，該半導體元件具有一第二鈍化層，設置在該第一鈍化層上。該重布線層以及該焊墊層的該下部設置在該第二鈍化層中，以及該焊墊層的該上部設置在該第二鈍化層上。

在一些實施例中，該第二鈍化層具有一下層以及一上層，該下層設置在該第一鈍化層上，該上層設置在該下層上，該重布線層設置在該第二鈍化層的該下層中，以及該焊墊層的該下部沿著該第二鈍化層的該上層并且延伸到該第二鈍化層的該下層設置。

在一些實施例中，該第二鈍化層的該下層包含氧化硅或磷硅酸鹽玻璃，以及該第二鈍化層的該上層包含氮化硅、氮氧化硅(silicon oxynitride)，或氧化硅氮化物(silicon oxide nitride)。

在一些實施例中，該半導體元件具有一第一阻擋層，設置在該重布線層以及該第一鈍化層之間。

在一些實施例中，該半導體元件具有一第二阻擋層，設置在該重布線層以及該第一調整層之間。

在一些實施例中，該半導體元件具有一第三阻擋層，設置在該焊墊層以及該第二調整層之間。

在一些實施例中，該第一阻擋層是鈦、氮化鈦、氮化鈦硅、鉭、氮化鉭、氮化鉭硅，或其組合所形成。

在一些實施例中，該半導體元件具有一最頂部導線以及一導電通孔，該最頂部導線設置在該第一鈍化層中，該導電通孔電連接該重布線層以及該最頂部導線。

在一些實施例中，該第一鈍化層包括一底層以及一頂層，該底層設置在該基底上，該頂層設置在該底層上，該最頂部導線設置在該第一鈍化層的該底層中，以及該導電通孔沿著該第一鈍化層的該頂層并且延伸到該第一鈍化層的該底層設置。