[發(fā)明專利]半導(dǎo)體元件及其制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110879916.9
• 申請(qǐng)日: 2021-08-02
• 公開（公告）號(hào): CN114121834A
• 公開（公告）日: 2022-03-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃則堯
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/31
• 分類號(hào): H01L23/31;H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

1.一種半導(dǎo)體元件，包括：

一基底；

一第一鈍化層，設(shè)置在該基底上；

一重布線層，設(shè)置在該第一鈍化層上；

一第一調(diào)整層，設(shè)置在該重布線層上；

一焊墊層，設(shè)置在該第一調(diào)整層上；以及

一第二調(diào)整層，設(shè)置在該焊墊層以及該第一調(diào)整層之間；

其中該第一調(diào)整層以及該第二調(diào)整層包含石墨烯。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該焊墊層包括一下部以及一上部，該下部設(shè)置在該第一調(diào)整層上以及該上部設(shè)置在下部上。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體元件，其中該第二調(diào)整層設(shè)置在該焊墊層的該下部以及該第一調(diào)整層之間，設(shè)置在該焊墊層的該下部的側(cè)壁上，以及設(shè)置在該焊墊層的上部的底面上。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體元件，還包括一第二鈍化層，設(shè)置在該第一鈍化層上，其中該重布線層以及該焊墊層的該下部設(shè)置在該第二鈍化層中，以及該焊墊層的該上部設(shè)置在該第二鈍化層上。

5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體元件，其中該第二鈍化層包括一下層以及一上層，該下層設(shè)置在該第一鈍化層上，該上層設(shè)置在該下層上；該重布線層設(shè)置在該第二鈍化層的該下層中，以及該焊墊層的該下部沿著該第二鈍化層的該上層并且延伸到該第二鈍化層的該下層設(shè)置。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體元件，其中該第二鈍化層的該下層包含氧化硅或磷硅酸鹽玻璃，以及該第二鈍化層的該上層包含氮化硅、氮氧化硅，或氧化硅氮化物。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體元件，還包括一第一阻擋層，設(shè)置在該重布線層以及該第一鈍化層之間。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體元件，還包括一第二阻擋層，設(shè)置在該重布線層以及該第一調(diào)整層之間。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件，還包括一第三阻擋層，設(shè)置在該焊墊層以及該第二調(diào)整層之間。

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體元件，其中該第一阻擋層包含鈦，氮化鈦，氮化鈦硅，鉭，氮化鉭，氮化鉭硅，或其組合。

11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體元件，還包括一最頂部導(dǎo)線以及一導(dǎo)電通孔，該最頂部導(dǎo)線設(shè)置在該第一鈍化層中，該導(dǎo)電通孔電連接該重布線層以及該最頂部導(dǎo)線。

12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體元件，其中該第一鈍化層包括一底層以及一頂層，該底層設(shè)置在該基底上，該頂層設(shè)置在該底層上，該最頂部導(dǎo)線設(shè)置在該第一鈍化層的該底層中，以及該導(dǎo)電通孔沿著該第一鈍化層的該頂層并且延伸到該第一鈍化層的該底層設(shè)置。

13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體元件，還包括一第一間隙子，設(shè)置在該第一調(diào)整層的側(cè)壁上以及該重布線層的側(cè)壁上。

14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體元件，還包括一凸塊單元，設(shè)置在該焊墊層上。

15.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體元件，還包括一凸塊下金屬化層，設(shè)置在該凸塊單元以及該焊墊層之間。

16.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體元件，還包括一多孔間隙子，設(shè)置在該第一調(diào)整層的側(cè)壁上以及該重布線層的側(cè)壁上。

17.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體元件，其中該多孔間隙子的一孔隙率是大約50％到大約100％的范圍內(nèi)。