[發明專利]一種納米復合薄膜的制備方法及應用有效
【權利要求書】：
1.一種納米復合薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)將導電基底用3000目砂紙打磨光滑，并洗凈；
其中，所述導電基底為直徑3mm的圓盤金/碳導電基底；
(2)配置七鉬酸銨溶液和氯化鈀的鹽酸溶液；
(3)采用三電極體系進行電沉積，將七鉬酸銨溶液置于電解池中，然后將三電極置于七鉬酸銨溶液中進行電沉積，得到氧化鉬薄膜；
(4)將氧化鉬薄膜置于氯化鈀的鹽酸溶液中，然后利用三電極體系進行電沉積，最終形成納米粒子開放嵌入氧化鉬薄膜的復合結構；
步驟(2)中所述七鉬酸銨溶液的濃度為0.1-100mM；所述氯化鈀的鹽酸溶液中，所述氯化鈀的濃度為0.1-100mM，所述氯化鈀與鹽酸的摩爾濃度比為(1:2)-(1:10)；
步驟(3)中所述電沉積為采用恒電壓或恒電流的方式進行電沉積0.001s-10s，所述電壓為-0.5～-1.0V，所述電流為1-500mA/cm2；
步驟(4)中所述電沉積為采用恒電壓或恒電流的方式進行電沉積0.001s-10s，所述電壓為0～-0.6V，所述電流為1-500mA/cm2。
2.根據權利要求1所述的納米復合薄膜的制備方法，其特征在于，步驟(1)所述洗凈為將打磨光滑的導電基底依次放入硫酸、丙酮、酒精和二次水中超聲4-6min，所述超聲頻率為40kHz。
3.根據權利要求1所述的納米復合薄膜的制備方法，其特征在于，所述三電極包括工作電極、參比電極和對電極；所述參比電極的材料為銀/氯化銀；對電極的材料為碳棒。
4.如權利要求1-3任一所述的一種納米復合薄膜的制備方法制備的納米粒子開放嵌入氧化鉬薄膜的復合結構在光/電致變色薄膜、催化劑、傳感材料中的應用。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于嘉興學院，未經嘉興學院許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110871397.1/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
