[發(fā)明專利]用于模擬細胞形變損傷的細胞培養(yǎng)裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110864900.0 | 申請日: | 2021-07-29 |
| 公開(公告)號: | CN113462567A | 公開(公告)日: | 2021-10-01 |
| 發(fā)明(設計)人: | 武明媚;鄺芳;游思維 | 申請(專利權(quán))人: | 中國人民解放軍空軍軍醫(yī)大學 |
| 主分類號: | C12M3/00 | 分類號: | C12M3/00;C12M1/42;C12M1/36;C12M1/34 |
| 代理公司: | 西安銘澤知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 61223 | 代理人: | 崔瑞迎 |
| 地址: | 710032 陜西*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 模擬 細胞 形變 損傷 細胞培養(yǎng) 裝置 | ||
本發(fā)明屬于細胞培養(yǎng)設備技術(shù)領域,具體涉及一種用于模擬細胞形變損傷的細胞培養(yǎng)裝置。包括,細胞培養(yǎng)槽,用于盛放培養(yǎng)基和細胞;第一電磁裝置,其設置于細胞培養(yǎng)槽一側(cè),第一電磁裝置包括串聯(lián)的第一電源、第一螺線管和第一開關,第一螺線管靠近細胞培養(yǎng)槽設置;第二電磁裝置,與第一電磁裝置的結(jié)構(gòu)相同,包括第二電源、第二螺線管和第二開關,第二電磁裝置設置在細胞培養(yǎng)槽的另一側(cè);第二電磁裝置與第一電磁裝置中電流方向相同或相反。本發(fā)明的細胞培養(yǎng)槽內(nèi)用于盛放培養(yǎng)基和細胞,第一電磁裝置和第二電磁裝置用于對細胞培養(yǎng)槽內(nèi)細胞施加磁力,以使細胞產(chǎn)生形變,本發(fā)明的裝置可以在無接觸狀態(tài)下產(chǎn)生細胞形變損傷,不造成細胞感染。
技術(shù)領域
本發(fā)明屬于細胞培養(yǎng)設備技術(shù)領域,具體涉及一種用于模擬細胞形變損傷的細胞培養(yǎng)裝置。
背景技術(shù)
不管是植物體還是動物體,都有各種各樣功能的細胞組成,每種類型的細胞都有其獨特的細胞形態(tài)和細胞結(jié)構(gòu),當細胞結(jié)構(gòu)受到損傷而發(fā)生變化,則細胞的生理活性受損,導致植物體或者動物體的生命機能受損。比如,對于人體而言,表皮細胞由于與外界環(huán)境直接接觸,在人體進行日常生活或者體育鍛煉的過程中,這些表皮細胞與環(huán)境之間產(chǎn)生摩擦等作用而造成表皮細胞破損,進而造成人體皮膚功能受損或者皮膚感染。細胞功能是維持生命活動的基本單元,一旦發(fā)生了細胞功能受損情況,就需要及時就醫(yī)治療,防止嚴重病變。
目前已經(jīng)有多種細胞功能修復的藥物應用于臨床,比如表皮修復因子、疤痕修復膏、酒精肝治療藥等,為了研發(fā)更多的細胞功能修復藥物,就需要構(gòu)建各種各樣的細胞損傷模型,比如CCl4誘導的體外肝細胞損傷模型,該模型主要利用CCl4來作用肝細胞,當CCl4與肝細胞接觸后,隨著CCl4用量和作用時間的差異,肝細胞會產(chǎn)生不同程度的損傷;再比如體內(nèi)肝損傷模型,該模型通過向動物體內(nèi)灌胃乙醇、過氧化氫、氰化鉀、硫代乙酰胺、內(nèi)毒素、半乳糖胺等化學物質(zhì)來誘導肝細胞損傷,最常見的就是給大鼠灌胃酒精而構(gòu)建的酒精肝模型;再比如體外構(gòu)建的帕金森模型(體外培養(yǎng)的中腦多巴胺能神經(jīng)元MPTP損傷模型)。通過研究細胞模型與致病因素、治療藥物之間的作用關系,研發(fā)其中的致病機理和治療機理,從而研發(fā)各類細胞功能恢復藥物。
上述細胞模型的構(gòu)建雖然都造成了細胞功能損傷,但是均是采用化學物質(zhì)來作用細胞,這些化學物質(zhì)直接影響細胞中某些有益代謝物的生成或者使有害代謝物大量生成,從而導致細胞結(jié)構(gòu)和細胞功能破壞。但是在實際生活中,細胞功能的破壞不僅僅是細胞內(nèi)代謝物產(chǎn)量異變導致的,也存在機械損傷,比如體育運動中的擦傷、韌帶拉傷等,再比如外科手術(shù)中的手術(shù)刀切口傷等,再比如細胞凍傷、皮膚凍傷等。這些機械損傷是細胞結(jié)構(gòu)或者多細胞組織結(jié)構(gòu)直接被動形變導致的,與化學物質(zhì)的致病因素不同,因此治療原理和治療藥物也不同。為了便于開發(fā)治療這些機械力因素(物理因素)導致的細胞損傷,需要構(gòu)建相應的細胞形變損傷模型。然而現(xiàn)有技術(shù)未見相關細胞形變損傷模型構(gòu)建方法或者裝置。因此,急需要開發(fā)一種能夠模擬細胞形變損傷的裝置。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供了一種用于模擬細胞形變損傷的細胞培養(yǎng)裝置。
本發(fā)明的目的是提供一種用于模擬細胞形變損傷的細胞培養(yǎng)裝置,包括,細胞培養(yǎng)槽,用于盛放培養(yǎng)基和細胞;
第一電磁裝置,其設置于所述細胞培養(yǎng)槽一側(cè),所述第一電磁裝置包括串聯(lián)的第一電源、第一螺線管和第一開關,所述第一螺線管靠近所述細胞培養(yǎng)槽設置;
第二電磁裝置,與所述第一電磁裝置的結(jié)構(gòu)相同,包括第二電源、第二螺線管和第二開關,所述第二電磁裝置設置在所述細胞培養(yǎng)槽的另一側(cè);所述第二電磁裝置與所述第一電磁裝置中電流方向相同或相反。
優(yōu)選的,上述用于模擬細胞形變損傷的細胞培養(yǎng)裝置,還包括空腔的底座,所述細胞培養(yǎng)槽、第一電磁裝置、第二電磁裝置均設于所述底座上,所述第一電源和所述第二電源均設置在所述底座的空腔內(nèi),所述第一開關和所述第二開關均設置在所述底座側(cè)壁,所述第一螺線管和所述第二螺線管均安裝在所述底座上方。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國人民解放軍空軍軍醫(yī)大學,未經(jīng)中國人民解放軍空軍軍醫(yī)大學許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110864900.0/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





