[發(fā)明專利]一種純相高性能CsPbBr3

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110846519.1
• 申請日: 2021-07-26
• 公開（公告）號: CN113764534A
• 公開（公告）日: 2021-12-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱衛(wèi)東;巴延雙;張澤陽;張春福;陳大正;張進(jìn)成;郝躍
• 申請（專利權(quán)）人: 西安電子科技大學(xué)
• 主分類號: H01L31/032
• 分類號: H01L31/032;H01L31/0392;H01L31/072;H01L31/18
• 代理公司: 西安嘉思特知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 61230
• 代理人: 劉長春

1.一種純相高性能CsPbBr₃太陽電池的制備方法，其特征在于，包括：

選取帶有FTO電極陰極的玻璃襯底；

在所述FTO電極陰極上制備TiO₂電子傳輸層，獲得FTO/TiO₂基底；

在所述TiO₂電子傳輸層上形成CsPb₂Br₅二維鈣鈦礦薄膜，獲得FTO/TiO₂/CsPb₂Br₅基底；

利用CsBr水溶液通過原位相變將所述CsPb₂Br₅二維鈣鈦礦薄膜轉(zhuǎn)變?yōu)镃sPbBr₃鈣鈦礦光吸收層，獲得FTO/TiO₂/CsPbBr₃基底；

在所述CsPbBr₃鈣鈦礦光吸收層上沉積碳電極陽極，獲得所述純相高性能CsPbBr₃太陽能電池。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的純相高性能CsPbBr₃太陽電池的制備方法，其特征在于，選取帶有FTO電極陰極的玻璃襯底，包括：

選取帶有FTO電極陰極的玻璃襯底，并將其依次放入Decon-90水溶液、去離子水、丙酮、無水乙醇中超聲清洗15-30min；隨后，將清洗過的該玻璃襯底放在UV-OZONE清洗儀中進(jìn)行紫外臭氧處理15-30min。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的純相高性能CsPbBr₃太陽電池的制備方法，其特征在于，在所述FTO電極陰極上形成TiO₂電子傳輸層，獲得FTO/TiO2基底，包括：

將80-100μL的TiO₂溶膠在空氣環(huán)境中以1500-3000rpm的轉(zhuǎn)速在所述FTO電極陰極上表面旋涂30-60s；

在空氣環(huán)境下450-550℃退火1-2h，形成厚度為50-80nm的TiO₂電子傳輸層，得到FTO/TiO₂基底。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的純相高性能CsPbBr₃太陽電池的制備方法，其特征在于，在所述TiO₂電子傳輸層上形成CsPb₂Br₅二維鈣鈦礦薄膜，獲得FTO/TiO₂/CsPb₂Br₅基底，包括：

取摩爾比為1:20-1:2的CsBr固體和PbBr₂固體溶于二甲基甲酰胺溶液中，得到CsPb₂Br₅前驅(qū)體溶液；

在N₂氣氛中，取80-100μL的CsPb₂Br₅前驅(qū)體溶液以1500-3000rpm轉(zhuǎn)速在所述FTO/TiO₂基底上旋涂30-60s；

將旋涂有CsPb₂Br₅前驅(qū)體溶液的FTO/TiO₂基底置在80-100℃溫度下退火30-40min，形成厚度為200-400nm的CsPb₂Br₅薄膜，得到FTO/TiO₂/CsPb₂Br₅基底。