[發明專利]相移掩模的制作方法

在審

• 申請號: 202110839905.8
• 申請日: 2021-07-20
• 公開（公告）號: CN113589641A
• 公開（公告）日: 2021-11-02
• 發明（設計）人: 居碧玉;欒會倩;張麗娜;王影;王奇
• 申請（專利權）人: 華虹半導體（無錫）有限公司
• 主分類號: G03F1/26
• 分類號: G03F1/26
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 羅雅文

本申請公開了一種相移掩模的制作方法，涉及半導體制造領域。該相移掩模的制作方法包括提供掩模基板；根據第一層圖形設計數據，對掩模基板進行第一次圖形化處理；在掩模基板表面涂布光刻膠；根據第二層圖形設計數據，對光刻膠進行曝光和顯影，顯影后的光刻膠完全包裹劃片道內需要被保留的不透光層，且劃片道內需要被去除的不透光層不被光刻膠覆蓋；以光刻膠為掩模，對掩模基板上的不透光層進行刻蝕；解決了目前相移掩模板的劃片道內的條狀缺陷的問題；達到了提高優化相移掩模的圖形設計數據，提高相移掩模的良品率的效果。

技術領域

本申請涉及半導體制造領域，具體涉及一種相移掩模的制作方法。

背景技術

光刻工藝是半導體制造過程中的關鍵工藝之一。光刻工藝將掩模上的設計圖形轉移到晶圓上的光阻中。隨著特征尺寸的不斷減小，對光刻工藝的要求越來越高，相移掩模被廣泛應用。

相移掩模(phase shifting mask，PSM)通過對相移掩模基板進行第一次曝光和顯影、第一次刻蝕、第二次曝光和顯影、第二次刻蝕來制作。在相移掩模的設計及制作完成后，對每塊相移掩模進行缺陷檢測時，發現相移掩模上的劃片道內存在密集的條狀缺陷。

經過分析，條狀缺陷是由于第二次圖形化時的套刻精度問題而產生的。如圖1所示在對相移掩模基板進行第二次圖形化時，希望形成的光阻圖形11與第一次形成的圖形完全對準，但是，由于套刻精度的問題，如圖2所示，第二次圖形化實際形成的光阻圖形21發生偏移，進而影響第二次刻蝕，產生條狀缺陷。

發明內容

為了解決相關技術中的問題，本申請提供了一種相移掩模的制作方法。該技術方案如下：

一方面，本申請實施例提供了一種相移掩模的制作方法，該方法包括：

提供掩模基板；

根據第一層圖形設計數據，對掩模基板進行第一次圖形化處理；

在掩模基板表面涂布光刻膠；

根據第二層圖形設計數據，對光刻膠進行曝光和顯影，顯影后的光刻膠完全包裹劃片道內需要被保留的不透光層，且劃片道內需要被去除的不透光層不被光刻膠覆蓋；

以光刻膠為掩模，對掩模基板上的不透光層進行刻蝕。

可選的，根據第二層圖形設計數據，對光刻膠進行曝光和顯影之前，該方法還包括：

獲取掩模等級對應的平均值相對目標值偏差規范和registration規范；

根據平均值相對目標值偏差規范和registration規范，確定第二層圖形設計數據中劃片道內的不透光層圖形的偏差值。

可選的，根據平均值相對目標值偏差規范和registration規范，確定第二層圖形設計數據中劃片道內的不透光層圖形的偏差值，包括：

根據平均值相對目標值偏差規范和registration規范，設定第二層圖形設計數據中劃片道內的不透光層圖形的測試偏差值；

根據測試偏差值進行掩模缺陷測試，得到缺陷測試結果；

檢測缺陷測試結果是否滿足通過標準；

若檢測到缺陷測試結果滿足通過標準，則將測試偏差值確定為第二層圖形設計數據中劃片道內的不透光層圖形的偏差值；

若檢測到缺陷測試結果不滿足通過標準，則重新設定第二層圖形設計數據中劃片道內的不透光層圖形的測試偏差值，并重新執行根據測試偏差值進行掩模缺陷測試，得到缺陷測試結果的步驟。

可選的，根據測試偏差值進行掩模缺陷測試，得到缺陷測試結果，包括：

根據測試偏差值制作測試掩模；