[發(fā)明專利]相移掩模的制作方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110839905.8
• 申請日: 2021-07-20
• 公開（公告）號: CN113589641A
• 公開（公告）日: 2021-11-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 居碧玉;欒會倩;張麗娜;王影;王奇
• 申請（專利權(quán)）人: 華虹半導(dǎo)體（無錫）有限公司
• 主分類號: G03F1/26
• 分類號: G03F1/26
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 羅雅文

1.一種相移掩模的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供掩模基板；

根據(jù)第一層圖形設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)，對所述掩模基板進(jìn)行第一次圖形化處理；

在所述掩模基板表面涂布光刻膠；

根據(jù)第二層圖形設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)，對所述光刻膠進(jìn)行曝光和顯影，顯影后的光刻膠完全包裹劃片道內(nèi)需要被保留的不透光層，且所述劃片道內(nèi)需要被去除的不透光層不被光刻膠覆蓋；

以光刻膠為掩模，對所述掩模基板上的不透光層進(jìn)行刻蝕。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)第二層圖形設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)，對光刻膠進(jìn)行曝光和顯影之前，所述方法還包括：

獲取掩模等級對應(yīng)的平均值相對目標(biāo)值偏差規(guī)范和registration規(guī)范；

根據(jù)所述平均值相對目標(biāo)值偏差規(guī)范和所述registration規(guī)范，確定所述第二層圖形設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中劃片道內(nèi)的不透光層圖形的偏差值。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述平均值相對目標(biāo)值偏差規(guī)范和所述registration規(guī)范，確定所述第二層圖形設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中劃片道內(nèi)的不透光層圖形的偏差值，包括：

根據(jù)所述平均值相對目標(biāo)值偏差規(guī)范和所述registration規(guī)范，設(shè)定所述第二層圖形設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中劃片道內(nèi)的不透光層圖形的測試偏差值；

根據(jù)所述測試偏差值進(jìn)行掩模缺陷測試，得到缺陷測試結(jié)果；

檢測所述缺陷測試結(jié)果是否滿足通過標(biāo)準(zhǔn)；

若檢測到所述缺陷測試結(jié)果滿足所述通過標(biāo)準(zhǔn)，則將所述測試偏差值確定為所述第二層圖形設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中劃片道內(nèi)的不透光層圖形的偏差值；

若檢測到所述缺陷測試結(jié)果不滿足所述通過標(biāo)準(zhǔn)，則重新設(shè)定所述第二層圖形設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中劃片道內(nèi)的不透光層圖形的測試偏差值，并重新執(zhí)行根據(jù)所述測試偏差值進(jìn)行掩模缺陷測試，得到缺陷測試結(jié)果的步驟。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述測試偏差值進(jìn)行掩模缺陷測試，得到缺陷測試結(jié)果，包括：

根據(jù)所述測試偏差值制作測試掩模；

對所述測試掩模進(jìn)行掩模缺陷測試，得到缺陷測試結(jié)果。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)第一層圖形設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)，對所述掩模基板進(jìn)行第一次圖形化處理，包括：

在所述掩模基板表面涂布光刻膠；

根據(jù)所述第一層圖形設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)對所述光刻膠進(jìn)行曝光、顯影；

以光刻膠為掩模，刻蝕所述掩模基板上的不透光層和相位移層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一所述的方法，其特征在于，所述不透光層為鉻層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一所述的方法，其特征在于，相位移層為硅化鉬層。