[發明專利]陣列基板、陣列基板的制造方法和顯示面板在審
| 申請號: | 202110837032.7 | 申請日: | 2021-07-23 |
| 公開(公告)號: | CN113571535A | 公開(公告)日: | 2021-10-29 |
| 發明(設計)人: | 彭利滿;劉亮亮;白妮妮;閆曉峰;薛智勇 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138 | 代理人: | 楊廣宇 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 制造 方法 顯示 面板 | ||
本申請公開了一種陣列基板、陣列基板的制造方法和顯示面板,屬于顯示技術領域。所述陣列基板包括:襯底基板、第一導電圖案、第一絕緣層、絕緣圖案以及第二導電圖案。其中,第二導電圖案在襯底基板上的正投影與第一導電圖案在襯底基板上的正投影存在交疊。第一絕緣層上具有凸起結構。絕緣圖案在襯底基板上的正投影,與第一絕緣層的凸起結構的側面在襯底基板上的正投影存在交疊。絕緣圖案可以遮擋第一絕緣層的凸起結構的側面可能出現的裂縫,以避免絕緣失效。可以解決相關技術中兩個導電極板容易短路,從而導致陣列基板的良率較低的問題。可以提高陣列基板的良率。
技術領域
本申請涉及顯示技術領域,特別涉及一種陣列基板的制造方法、陣列基板和顯示面板。
背景技術
目前,有源矩陣有機發光二極體(英文:Active-matrix organic light-emittingdiode;簡寫:AMOLED)的顯示面板具有高對比度、廣色域、響應速度快等特點。伴隨著有機發光二極管顯示面板的窄邊框項目的發展,需要使得有機發光二極管顯示面板中的陣列基板的體積越來越小。該陣列基板用于對顯示面板進行控制。
相關技術中有一種陣列基板,該陣列基板包括在襯底基板依次上形成的第一導電極板,絕緣層以及第二導電極板。其中,兩個導電極板分別用于傳輸不同的電信號。
但是,上述陣列基板,由于兩個導電極板之間的距離較小,絕緣層較薄。使得兩個導電極板容易短路,從而導致陣列基板的良率較低。
發明內容
本申請實施例提供了一種陣列基板、陣列基板的制造方法和顯示面板。所述技術方案如下:
根據本申請的一方面,提供了一種陣列基板,所述陣列基板包括:
襯底基板;
位于所述襯底基板上的第一導電圖案;
第一絕緣層,所述第一絕緣層位于所述第一導電圖案遠離所述襯底基板的一側,所述第一絕緣層具有凸起結構;
絕緣圖案,所述絕緣圖案位于所述第一絕緣層遠離所述襯底基板的一側,所述絕緣圖案在所述襯底基板上的正投影,與所述第一絕緣層的凸起結構的側面在所述襯底基板上的正投影存在交疊;
第二導電圖案,所述第二導電圖案位于所述絕緣圖案遠離所述襯底基板的一側,所述第二導電圖案在所述襯底基板上的正投影與所述第一導電圖案在所述襯底基板上的正投影存在交疊。
可選地,所述第一絕緣層的凸起結構包括與所述側面連接的頂面;
所述絕緣圖案包括位于所述凸起結構的頂面上的第一絕緣圖案以及位于所述側面的第二絕緣圖案,所述第一絕緣圖案和所述第二絕緣圖案連接。
可選地,所述第一絕緣圖案位于所述凸起結構的頂面的邊緣區域,所述邊緣區域為所述頂面與所述側面連接的邊緣向所述頂面的中心延伸指定距離的區域。
可選地,所述第一絕緣層在所述凸起結構上具有裂縫,所述絕緣圖案包括位于所述裂縫中的填充物。
可選地,所述絕緣圖案的材料包括光刻膠。
可選地,所述第一導電圖案與所述第二導電圖案包括電容結構的兩個極板。
根據本申請的另一方面,提供了一種陣列基板的制造方法,所述方法包括:
獲取襯底基板;
在所述襯底基板上依次形成第一導電圖案以及第一絕緣層,所述第一絕緣層上具有凸起結構;
在形成有所述第一絕緣層的襯底基板上形成絕緣材料層;
對所述絕緣材料層進行處理,以形成絕緣圖案,所述絕緣圖案在所述襯底基板上的正投影,與所述第一絕緣層的凸起結構的側面在所述襯底基板上的正投影存在交疊;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





