[發明專利]一種可重復使用的光學生物傳感器芯片及實現光學生物傳感器芯片重復使用的方法在審
| 申請號： | 202110836344.6 | 申請日： | 2021-07-23 |
| 公開（公告）號： | CN113588574A | 公開（公告）日： | 2021-11-02 |
| 發明（設計）人： | 呂曉慶;黃北舉;張歡;張贊 | 申請（專利權）人： | 蘇州微光電子融合技術研究院有限公司 |
| 主分類號： | G01N21/31 | 分類號： | G01N21/31;G01N33/537;G01N33/543 |
| 代理公司： | 北京東方盛凡知識產權代理事務所(普通合伙) 11562 | 代理人： | 張換君 |
| 地址： | 215000 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 重復使用 光學 生物 傳感器 芯片 實現 方法 | ||
1.一種可重復使用的光學生物傳感器芯片，其特征在于，所述光學生物傳感器芯片的納米結構表面附著有parylene C膜，所述parylene C膜與抗體及其抗原偶聯。
2.根據權利要求1所述的可重復使用的光學生物傳感器芯片，其特征在于，所述parylene C膜與所述抗體、抗原結合后形成偶聯物的長度在50nm內。
3.一種實現光學生物傳感器芯片重復使用的方法，其特征在于，利用parylene C膜使光學生物傳感芯片的納米結構與抗體及其抗原偶聯，待生物傳感檢測完成后，將paryleneC膜除去。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)將所述光學生物傳感芯片的波導表面暴露并進行清洗；
(2)將所述光學生物傳感芯片的納米結構區域暴露，其余部分用覆蓋物覆蓋，在所述納米結構區域表面蒸鍍parylene C，得到parylene C膜；
(3)在所述parylene C膜蒸鍍完成后，去掉覆蓋物；
(4)將所述抗體加至所述parylene C膜表面，進行吸附結合，然后清洗未被吸附的抗體；
(5)利用PBS緩沖液占位未結合抗體的parylene C膜，然后清洗；
(6)在步驟(5)得到的光學生物傳感芯片表面加入抗原，進行生物傳感檢測；
(7)檢測完成后，利用四氫呋喃去除光學生物傳感芯片表面的parylene C膜，實現光學生物傳感芯片的重復使用。
5.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述蒸鍍方式為化學氣相沉積方式。
6.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述parylene C膜的厚度為20nm。
7.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，步驟(4)中所述吸附結合的時間為1h。
8.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，步驟(5)中PBS緩沖液為含1％BSA的PBS緩沖液。
9.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，步驟(4)和(5)清洗時所用清洗液為pH＝7.4的1X PBS緩沖液。
10.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，步驟(7)中利用四氫呋喃去除parylene C膜的操作為：將芯片在四氫呋喃中浸泡、超聲。
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