[發(fā)明專(zhuān)利]晶體管、功率放大器及電子設(shè)備在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110831326.9 | 申請(qǐng)日： | 2021-07-22 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN115692492A | 公開(kāi)（公告）日： | 2023-02-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王東盛;田凱;姜騰;曹夢(mèng)逸;謝榮華 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 華為技術(shù)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L29/778 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L29/778;H01L29/47;H03F3/21;H01Q1/44;H01Q1/22 |
| 代理公司： | 廣州三環(huán)專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 44202 | 代理人： | 熊永強(qiáng);李稷芳 |
| 地址： | 518129 廣東*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 晶體管 功率放大器 電子設(shè)備 | ||
1.一種晶體管，其特征在于，所述晶體管包括溝道層、AlN勢(shì)壘層、AlGaN層、SiN層、所述柵極、所述源極及所述漏極；
所述AlN勢(shì)壘層、所述源極及所述漏極均層疊于所述溝道層，所述源極、所述漏極間隔設(shè)置，且所述源極及所述漏極均設(shè)于所述溝道層朝向所述AlN勢(shì)壘層的表面，所述AlN勢(shì)壘層位于間隔設(shè)置的所述源極與所述漏極之間；
所述SiN層及所述AlGaN層均層疊于所述AlN勢(shì)壘層背離所述溝道層的一側(cè)；所述AlN勢(shì)壘層包括第一區(qū)、第二區(qū)及第三區(qū)，所述第一區(qū)連接于所述第二區(qū)與所述第三區(qū)之間，所述SiN層包括間隔設(shè)置的第一部分與第二部分，所述SiN層的所述第一部分覆蓋所述AlN勢(shì)壘層的所述第二區(qū)，所述SiN層的所述第二部分覆蓋所述AlN勢(shì)壘層的所述第三區(qū)；所述AlGaN層設(shè)于間隔的所述第一部分與所述第二部分之間，且所述AlGaN層鄰接所述第一部分及所述第二部分，所述AlGaN層覆蓋所述AlN勢(shì)壘層的所述第一區(qū)；
所述柵極層疊于所述AlGaN層背離所述AlN勢(shì)壘層的一側(cè)，并與所述AlGaN層肖特基接觸。
2.如權(quán)利要求1的所述晶體管，其特征在于，所述SiN層的厚度大于所述AlGaN層的厚度，所述SiN層的所述第一部分、所述AlGaN層與所述SiN層的所述第二部分之間形成溝槽，所述溝槽的底壁為所述AlGaN層，所述溝槽的相對(duì)的兩個(gè)側(cè)壁分別為所述SiN層的所述第一部分及所述SiN層的所述第二部分。
3.如權(quán)利要求2所述的所述晶體管，其特征在于，所述柵極包括第一區(qū)塊，所述第一區(qū)塊填充于所述溝槽內(nèi)，所述柵極的所述第一區(qū)塊的長(zhǎng)度為200±100nm。
4.如權(quán)利要求3的所述晶體管，其特征在于，所述柵極還包括第二區(qū)塊，所述第二區(qū)塊位于所述溝槽外，且所述第二區(qū)塊層疊于所述第一區(qū)塊背離所述AlGaN層的一側(cè)，所述第二區(qū)塊的長(zhǎng)度大于所述第一區(qū)塊的長(zhǎng)度。
5.如權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)的所述晶體管，其特征在于，所述AlGaN層的厚度為2-5nm。
6.如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)的所述晶體管，其特征在于，所述SiN層的所述第一部分的長(zhǎng)度為200±100nm，所述SiN層的第二部的長(zhǎng)度為200±100nm，所述第一部分與所述第二部分的長(zhǎng)度相同或不同。
7.如權(quán)利要求6的所述晶體管，其特征在于，所述SiN層的厚度為10-30nm。
8.如權(quán)利要求1的所述晶體管，其特征在于，所述源極包括第一n型重?fù)诫sGaN層及源極金屬電極，所述第一n型重?fù)诫sGaN層與所述溝道層接觸，所述源極金屬電極層疊于所述第一n型重?fù)诫sGaN層背離所述溝道層的一側(cè)，所述第一n型重?fù)诫sGaN層的霍爾濃度大于1E20。
9.如權(quán)利要求1或8的所述晶體管，其特征在于，所述源極包括第二n型重?fù)诫sGaN層及漏極金屬電極，所述第二n型重?fù)诫sGaN層與所述溝道層接觸，所述漏極金屬電極層疊于所述第二n型重?fù)诫sGaN層背離所述溝道層的一側(cè)，所述第二n型重?fù)诫sGaN層的霍爾濃度大于1E20。
10.如權(quán)利要求9的所述晶體管，其特征在于，所述第一n型重?fù)诫sGaN層及所述第二n型重?fù)诫sGaN層為摻雜n型材料的GaN材料形成或摻雜n型材料的InGaN材料形成。
11.如權(quán)利要求1的所述晶體管，其特征在于，所述晶體管還包括背勢(shì)壘層，所述背勢(shì)壘層位于所述溝道層背離所述AlN勢(shì)壘層的一側(cè)，所述背勢(shì)壘層的勢(shì)壘較所述溝道層的勢(shì)壘更高。
12.如權(quán)利要求1或11的所述晶體管，其特征在于，所述溝道層為GaN溝道層。
13.如權(quán)利要求1的所述晶體管，其特征在于，所述晶體管還包括襯底，所述溝道層層疊于所述襯底上，所述襯底為高阻硅材料，所述襯底的方阻大于10000歐姆/sq。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專(zhuān)門(mén)適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類(lèi)型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
