[發明專利]鐵電隨機存取存儲器感測方案

有效

• 申請號: 202110821354.2
• 申請日: 2019-02-15
• 公開（公告）號: CN113611342B
• 公開（公告）日: 2022-07-22
• 發明（設計）人: 艾倫·德維爾比斯;喬納森·拉赫曼
• 申請（專利權）人: 賽普拉斯半導體公司
• 主分類號: G11C7/12
• 分類號: G11C7/12;G11C8/08
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 張瑞;楊明釗

1.一種存儲器設備，包括：

多個存儲器單元，所述多個存儲器單元布置在行和列中，其中，每個存儲器單元包括鐵電電容器和場效應晶體管FET；

第一極板線，所述第一極板線耦合到第一存儲器單元的在第一行和第一列的第一鐵電電容器；

第一位線，所述第一位線將所述第一存儲器單元的第一FET耦合到第一感測放大器；以及

第一字線，所述第一字線將字線信號耦合到所述第一FET；

其中，在所述第一存儲器單元的讀操作期間，脈沖信號在所述第一極板線上被置為有效以詢問所述第一鐵電電容器，并且在所述感測放大器被啟用用于感測操作之前，所述脈沖信號被無效，并且其中在所述感測放大器被禁用之后，在所述第一字線上的所述字線信號被無效。

2.根據權利要求1所述的存儲器設備，其中，所述第一FET是傳輸晶體管，所述第一FET將所述第一鐵電電容器的第一極板耦合到所述第一位線，并且所述第一存儲器單元具有單晶體管單電容器1T1C配置。

3.根據權利要求2所述的存儲器設備，其中，所述第一極板線耦合以向所述第一鐵電電容器的第二極板提供脈沖信號。

4.根據權利要求1所述的存儲器設備，其中，所述感測放大器的感測操作將從所述第一存儲器單元通過所述第一位線輸出的存儲器信號的振幅與參考信號進行比較。

5.根據權利要求1所述的存儲器設備，其中，所述第一字線耦合到所述第一FET的柵極，并且所述字線信號被配置為打開或關閉所述第一FET。

6.根據權利要求4所述的存儲器設備，還包括：

第二極板線，所述第二極板線耦合到所述第一存儲器單元的在第二列和所述第一行中的第二鐵電電容器；

第二位線，所述第二位線將所述第一存儲器單元的第二FET耦合到所述第一感測放大器；

其中，在所述第一存儲器單元的讀操作期間，從第二存儲器單元通過所述第二位線輸出的互補信號作為所述參考信號耦合到所述第一感測放大器。

7.一種非易失性存儲器設備的操作方法，包括：

選擇所述非易失性存儲器設備的第一存儲器單元以用于讀操作，其中，所述存儲器設備的存儲器單元布置在行和列中，并且其中所述存儲器單元中的所述第一存儲器單元包括單晶體管單電容器1T1C配置；

通過第一字線耦合字線信號，以打開所述第一存儲器單元的第一傳輸晶體管；

通過第一極板線將方波脈沖信號耦合到所述第一存儲器單元的第一鐵電電容器，其中，存儲器信號響應于所述方波脈沖信號的詢問而被輸出；

通過第一位線將所述存儲器信號耦合到感測放大器；以及

使所述方波脈沖信號無效；

在所述方波脈沖信號被無效之后，將使能信號耦合到所述感測放大器；

使所述使能信號無效；以及

使所述字線信號無效。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，所述使能信號被配置為開始感測操作，并且其中所述感測放大器被配置為將所述存儲器信號的振幅與參考信號進行比較以確定所述第一存儲器單元的二進制狀態。

9.根據權利要求7所述的方法，其中，所述存儲器單元中的每一個包括鐵電電容器。

10.根據權利要求7所述的方法，其中，所述第一字線與所述存儲器單元的第一行相關聯，并且所述第一位線和所述第一極板線與所述存儲器單元的第一列相關聯。

11.根據權利要求7所述的方法，其中，在所述讀操作期間，所述字線信號和所述使能信號并不同時置為有效。