[發(fā)明專利]片式封裝外殼

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110812455.3
• 申請日: 2021-07-19
• 公開（公告）號: CN113707634A
• 公開（公告）日: 2021-11-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊振濤;高嶺;于斐;劉林杰;淦作騰;畢大鵬;王東生;張騰;劉彤
• 申請（專利權(quán)）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: H01L23/49
• 分類號: H01L23/49;H05K1/02
• 代理公司: 石家莊國為知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 13120
• 代理人: 付曉娣

1.一種片式封裝外殼，其特征在于，包括：

陶瓷體，形成用于容置芯片的容置腔，所述陶瓷體底部設(shè)有焊盤；以及

引線，上表面與所述焊盤連接，所述引線具有從上至下順次連接的引線上部、引線中部和引線下部，所述引線中部的寬度小于所述引線上部的寬度，且所述引線中部的寬度小于所述引線下部的寬度。

2.如權(quán)利要求1所述的片式封裝外殼，其特征在于，所述引線上部的寬度等于所述引線下部的寬度。

3.如權(quán)利要求1或2所述的片式封裝外殼，其特征在于，所述引線中部的側(cè)面、所述引線上部的底面和所述引線下部的頂面均為平直面，所述引線中部的側(cè)面與所述引線上部的底面之間，以及所述引線中部的側(cè)面和所述引線下部的頂面之間均呈夾角設(shè)置。

4.如權(quán)利要求1或2所述的片式封裝外殼，其特征在于，所述引線中部的側(cè)面與所述引線上部的底面均為圓滑過渡的弧面，所述引線中部的側(cè)面與所述引線下部的頂面均為圓滑過渡的弧面。

5.如權(quán)利要求1所述的片式封裝外殼，其特征在于，所述陶瓷體的底面開設(shè)有引線容置槽，所述引線部分容置于所述引線容置槽中，所述陶瓷體的底端面與所述引線下部的底端面平齊。

6.如權(quán)利要求1所述的片式封裝外殼，其特征在于，所述片式封裝外殼還包括平板狀的熱沉，所述陶瓷體呈環(huán)狀，所述陶瓷體的底部形成階梯槽，所述階梯槽的底部內(nèi)徑小于所述階梯槽的頂部內(nèi)徑，所述熱沉嵌裝于所述階梯槽。

7.如權(quán)利要求6所述的片式封裝外殼，其特征在于，所述熱沉與所述階梯槽的頂面焊接，所述熱沉的上表面開設(shè)有第一阻焊槽，所述第一阻焊槽位于所述容置腔內(nèi)，且靠近所述陶瓷體與所述熱沉的連接面設(shè)置。

8.如權(quán)利要求6所述的片式封裝外殼，其特征在于，所述熱沉包括：

主體，所述主體上開設(shè)有上下貫通且呈蜂窩狀分布的通孔；以及

填充芯體，填充于所述通孔內(nèi)，所述填充芯體的熱導(dǎo)率大于所述主體的熱導(dǎo)率。

9.如權(quán)利要求6所述的片式封裝外殼，其特征在于，所述熱沉的上表面還設(shè)有第二阻焊槽，所述第二阻焊槽靠近所述熱沉上表面上的芯片安裝區(qū)域設(shè)置。

10.如權(quán)利要求1所述的片式封裝外殼，其特征在于，所述陶瓷體的外周面設(shè)有側(cè)面空心孔，所述側(cè)面空心孔為金屬化孔，所述陶瓷體內(nèi)的鍵合指通過所述側(cè)面空心孔實現(xiàn)與所述焊盤的導(dǎo)電連接。