[發(fā)明專利]三維存儲器件及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110800955.5
• 申請日: 2020-04-30
• 公開（公告）號: CN113644077B
• 公開（公告）日: 2023-09-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳林春
• 申請（專利權(quán)）人: 長江存儲科技有限責(zé)任公司
• 主分類號: H10B43/35
• 分類號: H10B43/35;H10B43/27;H10B43/20
• 代理公司: 北京永新同創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11376
• 代理人: 楊錫勱;劉柳

1.一種三維(3D)存儲器件，包括：

襯底；

處于所述襯底之上的層堆疊體，所述層堆疊體包括交替堆疊設(shè)置的多個第一堆疊層和多個第二堆疊層、以及多個存儲塊；

第一外延層，所述第一外延層處于穿過所述層堆疊體延伸的溝道層的側(cè)面部分上；

在所述層堆疊體之下處于所述襯底上的第二外延層；以及

多個第一陣列公共源極(ACS)和多個第二ACS，所述多個第一ACS和所述多個第二ACS被配置為穿過所述層堆疊體延伸并且與所述第二外延層電連接，其中，所述多個第二ACS沿第一方向連續(xù)地延伸，從而將所述層堆疊體劃分為所述多個存儲塊，所述多個第一ACS位于一個存儲塊之中且在所述第一方向上非連續(xù)地延伸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述第一外延層與所述第二外延層毗連，并且所述層堆疊體的部分以及所述多個第一ACS處于所述多個第二ACS之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述多個第一ACS與頂部選擇柵(TSG)切口的區(qū)域部分重疊。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，還包括：

功能層，所述功能層沉積在穿過所述層堆疊體延伸的溝道孔的側(cè)壁和底表面上；以及

填充所述溝道孔的電介質(zhì)材料，

其中，所述溝道層被沉積為與所述功能層相鄰，并且所述功能層包括阻隔層、電荷捕獲層和/或隧穿絕緣層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述多個第一ACS和所述多個第二ACS均包括：

被沉積在柵縫隙(GLS)的側(cè)壁上的電隔離層；以及

被沉積在所述GLS中的所述電隔離層上的導(dǎo)電材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述多個第一堆疊層包括導(dǎo)電材料。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述多個第一ACS均形成圓柱形形狀或者柱形形狀。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述多個第一ACS包括不同的形狀。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述多個第一ACS間隔開預(yù)定的距離。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述多個第一ACS間隔開不同值的距離。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述多個第一ACS形成二維圖案。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述多個第一ACS形成均沿平行于所述多個第二ACS的方向延伸的多個行。

13.一種用于制作三維(3D)存儲器件的方法，包括：

在襯底之上形成層堆疊體，所述層堆疊體包括交替堆疊設(shè)置的多個第一堆疊層和多個第二堆疊層；

形成穿過所述層堆疊體延伸的多個第一柵縫隙(GLS)和多個第二GLS，其中，所述多個第二GLS沿第一方向連續(xù)地延伸，從而將所述層堆疊體劃分為多個存儲塊，所述多個第一GLS位于一個存儲塊之中且在所述第一方向上非連續(xù)地延伸，

借助于所述第一GLS和所述第二GLS來執(zhí)行外延生長，以在穿過所述層堆疊體延伸的溝道層的側(cè)面部分上沉積第一外延層并且在所述層堆疊體之下在所述襯底上沉積第二外延層。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述第一外延層與所述第二外延層毗連，并且所述層堆疊體的部分以及所述多個第一GLS處于所述多個第二GLS之間。