[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法及其測試方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110800490.3
• 申請日: 2021-07-15
• 公開（公告）號: CN113540040B
• 公開（公告）日: 2023-04-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉云飛
• 申請（專利權(quán)）人: 長江存儲科技有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L21/66;H10B41/20;H10B43/20
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 柳虹

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底包括待形成臺階結(jié)構(gòu)的第一區(qū)；

在襯底上形成堆疊層，所述堆疊層包括依次層疊的第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層；

在所述堆疊層上形成硬掩模墻；所述硬掩模墻位于所述第一區(qū)內(nèi)，且所述硬掩模墻將所述第一區(qū)劃分為多個第二區(qū)；所述硬掩模墻中形成有臺階結(jié)構(gòu)標(biāo)記；

形成光刻膠層，所述光刻膠層暴露出所述第二區(qū)內(nèi)待刻蝕的所述堆疊層；

對待刻蝕的堆疊層進行刻蝕，得到臺階結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述光刻膠層覆蓋所述臺階結(jié)構(gòu)標(biāo)記。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述臺階結(jié)構(gòu)標(biāo)記沿垂直于所述襯底的方向縱向貫穿所述硬掩模墻。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述硬掩模墻中形成有多個所述臺階結(jié)構(gòu)標(biāo)記，多個所述臺階結(jié)構(gòu)標(biāo)記沿所述硬掩模墻的延伸方向間隔排布。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述硬掩模墻的數(shù)量為多個，多個所述硬掩模墻互相平行，且每個所述硬掩模墻中形成有所述臺階結(jié)構(gòu)標(biāo)記。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造方法，其特征在于，每個所述硬掩模墻中形成一個所述臺階結(jié)構(gòu)標(biāo)記，且多個所述硬掩模墻中的各所述臺階結(jié)構(gòu)標(biāo)記，在多個所述硬掩模墻的排列方向上相互對齊，或者在多個所述硬掩模墻的排列方向上相互錯開。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造方法，其特征在于，每個所述硬掩模墻中形成多個所述臺階結(jié)構(gòu)標(biāo)記，且多個所述硬掩模墻中的各所述臺階結(jié)構(gòu)標(biāo)記構(gòu)成陣列排布；或者，所述硬掩模墻中多個所述臺階結(jié)構(gòu)標(biāo)記，與相鄰于該硬掩模墻的所述硬掩模墻中多個所述臺階結(jié)構(gòu)標(biāo)記錯位排布。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任意一項所述的制造方法，其特征在于，所述在所述堆疊層上形成硬掩模墻，包括：

在所述堆疊層上形成硬掩模層；

在所述硬掩模層上形成光刻膠，以所述光刻膠為掩蔽，對所述硬掩模層進行刻蝕，得到所述硬掩模墻。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-7任意一項所述的制造方法，其特征在于，對待刻蝕的所述堆疊層進行刻蝕，得到臺階結(jié)構(gòu)，包括：

對所述光刻膠層進行修剪，以修剪后的光刻膠層為掩蔽，對待刻蝕的所述堆疊層進行刻蝕，以形成臺階結(jié)構(gòu)。

10.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的測試方法，其特征在于，所述測試方法應(yīng)用的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)是利用權(quán)利要求1-9任意一項所述的制造方法形成，利用所述臺階結(jié)構(gòu)標(biāo)記與所述臺階結(jié)構(gòu)的位置的差值得到所述臺階結(jié)構(gòu)的偏移量。