[發明專利]半導體結構及其形成方法

在審

• 申請號: 202110795362.4
• 申請日: 2021-07-14
• 公開（公告）號: CN113540093A
• 公開（公告）日: 2021-10-22
• 發明（設計）人: 劉藩東;華文宇;駱中偉
• 申請（專利權）人: 芯盟科技有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242;H01L21/60
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣

1.一種半導體結構，其特征在于，包括：

第一襯底，所述第一襯底包括沿第一方向和第二方向陣列排布的若干有源區，所述第一方向和第二方向呈銳角夾角，各有源區在第一襯底表面的投影為菱形、圓形或橢圓形，所述菱形的對角線平行或垂直于第一方向；

位于相鄰有源區之間的第一隔離層；

位于所述第一襯底和第一隔離層內且相互獨立的若干字線柵結構，所述字線柵結構沿第一方向排布且沿第三方向延伸，每個字線柵結構沿第三方向貫穿在所述第一方向上相鄰的2排有源區，所述第三方向和第一方向互相垂直；

若干位線結構，每個位線結構位于在第二方向上排布的1列有源區上；

位于若干有源區上的若干電容結構，并且，所述電容結構和位線結構分別位于第一襯底相對的兩個表面上。

2.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，還包括：位于第一襯底內的若干第二隔離結構，所述第二隔離結構位于相鄰的字線柵結構之間，每個第二隔離結構沿第三方向貫穿1排有源區，并且，在垂直于第一襯底表面的方向上，第二隔離結構的高度小于第一隔離層的高度。

3.如權利要求2所述的半導體結構，其特征在于，所述第一襯底包括相對的第一面和第二面，所述位線結構位于所述第一面上，所述電容結構位于所述第二面上，所述第二面暴露出所述第二隔離結構的底面。

4.如權利要求3所述的半導體結構，其特征在于，位于每個有源區的第一面的第一摻雜區，并且，每個位線結構與在所述第二方向上排布的1列有源區的第一摻雜區電連接。

5.如權利要求3所述的半導體結構，其特征在于，所述第二隔離結構在朝向第一面的方向上的頂面高于所述字線柵結構高度的二分之一。

6.如權利要求3所述的半導體結構，其特征在于，每2個電容結構位于1個有源區的第二面上，并且，在所述第一方向上，所述2個電容結構分別位于貫穿所述1個有源區的第二隔離結構的兩側。

7.如權利要求6所述的半導體結構，其特征在于，位于每個有源區的第二面的第二摻雜區，在所述第一方向上，所述第二摻雜區位于所述第二隔離結構的兩側，在垂直于第二面的方向上，所述第二摻雜區的深度小于所述第二隔離結構的高度，并且，每個電容結構與所述第二隔離結構的兩側中的一側的第二摻雜區電連接。

8.如權利要求7所述的半導體結構，其特征在于，所述電容結構在第二面的投影與所述第二摻雜區至少部分重合。

9.如權利要求2所述的半導體結構，其特征在于，所述第一襯底包括相對的第一面和第二面，所述電容結構位于所述第一面上，所述位線結構位于所述第一面上，所述第一面暴露出所述第二隔離結構的頂面。

10.如權利要求9所述的半導體結構，其特征在于，位于每個有源區的第二面的第一摻雜區，并且，每個位線結構與在所述第二方向上排布的1列有源區的第一摻雜區電連接。

11.如權利要求9所述的半導體結構，其特征在于，所述第二隔離結構在朝向第二面的方向上的底面低于所述字線柵結構高度的二分之一。

12.如權利要求9所述的半導體結構，其特征在于，每2個電容結構位于1個有源區的第一面上，并且，在所述第一方向上，所述2個電容結構位于貫穿所述1個有源區的第二隔離結構的兩側。

13.如權利要求12所述的半導體結構，其特征在于，位于每個有源區的第一面的第二摻雜區，在所述第一方向上，所述第二摻雜區位于所述第二隔離結構的兩側，在垂直于第一面的方向上，所述第二摻雜區的深度小于所述第二隔離結構的高度，并且，每個電容結構與所述第二隔離結構的兩側中的一側的第二摻雜區電連接。