[發明專利]一種三元改性超低尺度硅酸鹽阻燃劑的制備方法在審
| 申請號: | 202110793462.3 | 申請日: | 2021-07-14 |
| 公開(公告)號: | CN113502001A | 公開(公告)日: | 2021-10-15 |
| 發明(設計)人: | 李志勇;張志勇 | 申請(專利權)人: | 上海镎素工業技術有限公司 |
| 主分類號: | C08K9/06 | 分類號: | C08K9/06;C08K9/02;C08K9/04;C08K3/34;C08L67/02 |
| 代理公司: | 上海海貝律師事務所 31301 | 代理人: | 宋振宇 |
| 地址: | 201306 上海市浦東新區中國(上海)*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 三元 改性 尺度 硅酸鹽 阻燃 制備 方法 | ||
1.一種三元改性超低尺度硅酸鹽阻燃劑的制備方法,其特征在于:包括以下步驟:
S1:納米硅的制備:將無機硅酸鹽、硅烷偶聯劑在堿性條件與水、乙二醇或丙二醇混合分散劑中攪拌反應;反應過程施加高速剪切場;將所制備反應原液通過過濾網處理后,得到A液。
S2:納米硅的表面阻燃成分修飾:A液繼續與含氟的硅烷偶聯劑反應制備二元硅B液;B液反應完全后加入磷系鹽,繼續攪拌;制備的液體反應物為三元硅C液;
S3:干燥:將C液干燥完全后得到C粉。
2.根據權利要求1所述的一種三元改性超低尺度硅酸鹽阻燃劑的制備方法,還包括步驟:
S4:三元硅的表征:使用光學顯微鏡、SEM及附帶統計插件表征二維線性材料結構、形態與尺度;繪制三元修飾納米硅材料尺度分布曲線。
S5:綜合性能測試:將C粉與滌綸、聚酰胺等高分子樹脂通過雙螺桿共混擠出造粒;然后制備樣品,測試材料在不同添加比例下使用垂直燃燒法阻燃性能,以及拉伸強度、斷裂伸長率、沖擊強度機械物理性能,并與未添加三元修飾硅的樹脂做對照。
3.根據權利要求1所述的一種三元改性超低尺度硅酸鹽阻燃劑的制備方法,其特征在于:所述無機硅酸鹽包括硅酸鋁、硅酸鐵、硅酸鈣、硅酸鎂、硅酸鉀、硅酸鈉等中的一種或多種。所述步驟S1中無機硅酸鹽的規格小于20μm。
4.根據權利要求1所述的一種三元改性超低尺度硅酸鹽阻燃劑的制備方法,其特征在于:S1所述的硅烷偶聯劑包括氨丙基三甲氧基硅烷,氨丙基三乙氧基硅烷,氨丙基甲基二乙氧基硅烷中的一種或多種。
5.根據權利要求1所述的一種三元改性超低尺度硅酸鹽阻燃劑的制備方法,其特征在于:所述的磷系鹽,包括鈉、鉀、鎂等粒子的二甲基次磷酸鹽,二乙基次磷酸鹽,無機次磷酸鹽,亞磷酸鹽,磷酸鹽,磷酸一氫鹽,以及二氫鹽類中的一種或多種。
6.根據權利要求1所述的一種三元改性超低尺度硅酸鹽阻燃劑的制備方法,其特征在于:所述含氟硅烷偶聯劑主要為3,3,3-三氟丙基三甲基硅烷,1H,1H,2H,2H-三氟辛基三甲氧基硅烷,1H,1H,2H,2H-三氟辛基三甲乙基硅烷,1H,1H,2H,2H-三氟癸基三甲氧基硅烷,以及1H,1H,2H,2H-三氟癸基三乙氧基硅烷中的一種或多種。
7.根據權利要求1所述的一種三元改性超低尺度硅酸鹽阻燃劑的制備方法,其特征在于:所述步驟S1中攪拌反應的時間為3-7hrs。
8.根據權利要求1所述的一種三元改性超低尺度硅酸鹽阻燃劑的制備方法,其特征在于:所述步驟S1中過濾網采用325目過濾網。
9.根據權利要求1所述的一種三元改性超低尺度硅酸鹽阻燃劑的制備方法,其特征在于:所述步驟S2中攪拌的時間為0.5-5hrs。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海镎素工業技術有限公司,未經上海镎素工業技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110793462.3/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





