[發(fā)明專利]一種MXene/C復(fù)合材料的制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110792571.3
• 申請日: 2021-07-13
• 公開（公告）號: CN113529047A
• 公開（公告）日: 2021-10-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 孔思濤;焦云飛;羅薇;陳子博;韓旭然;趙翠娥;吳強(qiáng);應(yīng)世強(qiáng);李誼;馬延文
• 申請（專利權(quán)）人: 南京郵電大學(xué);南京億浦先進(jìn)材料研究院有限公司
• 主分類號: C23C16/26
• 分類號: C23C16/26;C23C16/50;C23C16/44;H01M4/66;H01M10/0525
• 代理公司: 南京蘇科專利代理有限責(zé)任公司 32102
• 代理人: 范丹丹

1.一種MXene/C復(fù)合材料的制備方法，其特征在于：該方法包括以下步驟：

S1：制備MXene片層；

S2：用多元一體化鍍碳裝置對MXene片層進(jìn)行鍍碳，得到MXene/C復(fù)合材料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種MXene/C復(fù)合材料的制備方法，其特征在于：在所述S2步驟中，以MXene材料為基底，碳弧源進(jìn)行沉積，制得MXene/C復(fù)合材料。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種MXene/C復(fù)合材料的制備方法，其特征在于：在所述S2步驟中，MXene表面碳層的厚度為200nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種MXene/C復(fù)合材料的制備方法，其特征在于：所述多元一體化鍍碳裝置采用多元一體化共沉積技術(shù)制備MXene/C復(fù)合材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種MXene/C復(fù)合材料的制備方法，其特征在于：所述多元一體化共沉技術(shù)為磁過濾技術(shù)、弧光放電技術(shù)和等離子體技術(shù)相結(jié)合。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種MXene/C復(fù)合材料的制備方法，其特征在于：

在所述S2步驟中，多元一體化鍍碳裝置包括弧光放電源(1)、固態(tài)弧源(2)、磁過濾管(3)、磁過濾干線管(400)和化學(xué)氣相反應(yīng)室(100)，其中，化學(xué)氣相反應(yīng)室位于所述多元一體化鍍碳裝置的中心位置，化學(xué)氣相反應(yīng)室上設(shè)置有基座(200)和沉積基底(300)，化學(xué)氣相反應(yīng)室的上端通過磁過濾管(3)和磁過濾干線管(400)連接弧光放電源(1)和等離子體固態(tài)弧源(2)，化學(xué)氣相反應(yīng)室的兩側(cè)分別設(shè)有等離子體氣體源進(jìn)口(500)和氣體源出口(600)，最后得到復(fù)合材料(700)。