[發明專利]半導體封裝在審
| 申請號: | 202110792483.3 | 申請日: | 2021-07-13 |
| 公開(公告)號: | CN114121860A | 公開(公告)日: | 2022-03-01 |
| 發明(設計)人: | 金暋起;金德圭;鄭在珉;河政圭;韓相旭 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L23/495 | 分類號: | H01L23/495;H01L23/31 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 倪斌 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 封裝 | ||
公開了一種半導體封裝,包括:半導體芯片;第一芯片焊盤,在半導體芯片的底表面上并且與半導體芯片的第一方向上的第一側表面相鄰,該第一側表面在平面圖中在第一方向上與第一芯片焊盤分開;以及,第一引線框,耦接到第一芯片焊盤。第一引線框包括:第一部分,在第一芯片焊盤的底表面上,并且從第一芯片焊盤在第二方向上延伸,該第二方向上與第一方向相反并且遠離半導體芯片的第一側表面;以及第二部分,當在平面圖中查看時,第二部分連接到第一部分的第一端部并且沿第一方向延伸,以在穿過第一芯片焊盤的一側以后、延伸到超過半導體芯片的第一側表面。
相關申請的交叉引用
本申請要求于2020年9月1日在韓國知識產權局遞交的韓國專利申請No.10-2020-0111079的優先權,其全部內容通過引用合并于此。
技術領域
本發明構思涉及一種半導體封裝,更具體地涉及一種具有引線框的半導體封裝。
背景技術
在半導體產業中,已經開發了用于滿足針對小形狀因子器件和高封裝可靠性的需求的集成電路封裝技術。例如,正在積極地開發能夠實現芯片尺寸的封裝的封裝技術,以滿足針對小形狀因子器件的需求,并且,能夠提高封裝工藝中的效率以及提高所封裝的產品的機械及電氣可靠性的封裝技術已經在高封裝可靠性方面吸引了相當多的注意。
膜上芯片(COF)技術是新的封裝類型,已經在具有輕薄的趨勢的顯示器驅動器IC和尺寸緊湊的通信設備上對其進行了開發。當利用COF技術實現高分辨率顯示設備時,電視機和監視器的驅動頻率增大,以增大驅動器IC的驅動負載,這導致從集成電路生成熱量。作為解決這些問題的方法,可以在介電層的底表面上形成熱輻射板,以向外排出從在介電襯底的頂表面上形成的半導體器件產生的熱量。然而,可能希望其他或另外的方法。
發明內容
本發明構思的一些示例實施例提供了具有改善的結構穩定性的半導體封裝。
本發明構思的一些示例實施例提供了具有增強的電氣特性的半導體封裝。
本發明構思的目的不限于上述目的,并且從以下描述中,本領域技術人員將清楚地理解以上未提及的其他目的。
根據本發明構思的一些示例實施例,一種半導體封裝可以包括:半導體芯片;第一芯片焊盤,在所述半導體芯片的底表面上并且與所述半導體芯片的第一方向上的第一側表面相鄰,所述第一側表面在平面圖中在第一方向上與所述第一芯片焊盤分開;以及第一引線框,耦接到所述第一芯片焊盤。所述第一引線框可以包括:第一部分,在所述第一芯片焊盤的底表面上,所述第一部分從所述第一芯片焊盤在第二方向上延伸,所述第二方向與所述第一方向相反并且遠離所述半導體芯片的第一側表面;以及第二部分,當在平面圖中查看時,所述第二部分連接到所述第一部分的第一端部并且沿所述第一方向延伸,以在穿過所述第一芯片焊盤的一側以后、延伸超過所述半導體芯片的第一側表面。
根據本發明構思的一些示例實施例,所述實施例可以是與以前提到的示例實施例相同或不同的實施例,一種半導體封裝可以包括:熱輻射構件;襯底,在所述熱輻射構件上;引線框,在所述襯底上;半導體芯片,所述半導體芯片設置在所述引線框上并且所述半導體芯片的底表面具有中心區和圍繞所述中心區的外圍區;以及芯片焊盤,所述芯片焊盤設置在所述半導體芯片的底表面的所述外圍區上,并且所述芯片焊盤將所述半導體芯片耦接到所述引線框。所述引線框可以包括:第一部分,從所述芯片焊盤的底表面延伸到所述半導體芯片的底表面的所述中心區上;第二部分,所述第二部分從所述中心區朝向所述半導體芯片的外部延伸;以及連接部分,在所述中心區上,通過所述連接部分將所述第一部分和所述第二部分彼此連接。
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