[發明專利]高速探測器鈍化層結構及其制作方法

在審

• 申請號: 202110790788.0
• 申請日: 2021-07-13
• 公開（公告）號: CN113707539A
• 公開（公告）日: 2021-11-26
• 發明（設計）人: 劉佳;王權兵;徐之韜;趙雪妍;王任凡
• 申請（專利權）人: 武漢敏芯半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027
• 代理公司: 北京中強智尚知識產權代理有限公司 11448
• 代理人: 劉敏

1.一種高速探測器鈍化層結構，其特征在于，包括：

介質膜和第一光刻膠構成的第一鈍化層結構，所述介質膜為氧化硅介質膜或氮化硅介質膜中的任意一種；

或，所述第一光刻膠構成的第二鈍化層結構；

所述第一鈍化層結構中的介質膜沉積在P臺Zn擴散區之外的環形區域上，所述第一光刻膠涂覆于所述介質膜上；

所述第二鈍化層結構中的第一光刻膠經過第二光刻膠的蝕刻保護，涂覆于P臺Zn擴散區之外的環形區域上。

2.根據權利要求1所述的鈍化層結構，其特征在于，所述介質膜的厚度為80-100nm。

3.根據權利要求1所述的鈍化層結構，其特征在于，所述介質膜是利用等離子增強化學氣相沉積設備生成的。

4.一種高速探測器鈍化層結構的制作方法，其特征在于，包括：

在高速探測器表面上沉積介質膜，所述介質膜為氧化硅介質膜或氮化硅介質膜中的任意一種；

在所述介質膜上勻涂第一光刻膠，所述第一光刻膠為BCB膠；

通過第一鈍化處理，在P臺Zn擴散區之外的環形區域上形成由所述介質膜和所述第一光刻膠構成的第一鈍化層結構。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一鈍化處理包括：

在所述介質膜和所述第一光刻膠上進行曝光顯影處理，使得在所述第一光刻膠上形成光刻膠圖案；

在進行高溫固化處理后，通過對所述介質膜的蝕刻速率和/或參數變化的監測，對所述光刻膠圖案之外的區域進行蝕刻處理，以形成所述第一鈍化層結構。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述通過對所述介質膜的蝕刻速率和/或參數變化的監測，對所述光刻膠圖案之外的區域進行蝕刻處理，以形成所述第一鈍化層結構，具體包括：

利用橢偏儀確定所述介質膜的蝕刻速率；

根據所述蝕刻速率計算蝕刻完成時間，在所述蝕刻完成時間停止蝕刻處理。

7.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述通過對所述介質膜的蝕刻速率和/或參數變化的監測，對所述光刻膠圖案之外的區域進行蝕刻處理，以形成所述第一鈍化層結構，具體包括：

檢測所述光刻膠圖案之外區域的介質膜厚度變化和/或介質膜顏色變化；

若所述厚度變化為小于預設厚度閾值和/或顏色變化為無色，則判定蝕刻完成，且蝕刻結果符合預設蝕刻標準。

8.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述通過對所述介質膜的蝕刻速率和/或參數變化的監測，對所述光刻膠圖案之外的區域進行蝕刻處理，以形成所述第一鈍化層結構，具體包括：

利用橢偏儀確定所述介質膜的蝕刻速率，并根據所述蝕刻速率計算蝕刻完成時間；

在所述蝕刻完成時間，檢測所述光刻膠圖案之外區域的介質膜厚度變化和/或介質膜顏色變化；

若所述厚度變化為小于預設厚度閾值和/或顏色變化為無色，則判定蝕刻完成，且蝕刻結果符合預設蝕刻標準。

9.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

在高速探測器表面上勻涂第一光刻膠；

利用第二光刻膠并通過第二鈍化處理，在P臺Zn擴散區之外的環形區域上形成由所述第一光刻膠構成的第二鈍化層結構。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述第二鈍化處理包括：

對所述第一光刻膠進行曝光顯影以及高溫固化處理后，在所述高速探測器表面上勻涂第二光刻膠并進行顯影以及高溫固化處理，形成光刻膠圖案；

在所述光刻膠圖案之外的區域，執行對所述第一光刻膠和所述第二光刻膠的蝕刻處理，以便利用所述第二光刻膠形成對所述第一光刻膠的蝕刻保護；

在判定蝕刻完成后，去除所述光刻膠圖案上的第二光刻膠。