[發(fā)明專利]基板處理裝置及基板處理方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110785638.0
• 申請(qǐng)日: 2021-07-12
• 公開（公告）號(hào): CN113921422A
• 公開（公告）日: 2022-01-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 樸美昭;李龍熙;尹堵鉉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 細(xì)美事有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67;F26B25/00
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 張瑾

1.一種用于通過使用超臨界流體處理基板的裝置，所述裝置包括：

工藝腔室，所述工藝腔室配置為提供處理空間、并且包括配置為增加所述處理空間的內(nèi)部溫度的腔室加熱器；

基板支承件，所述基板支承件提供在所述處理空間中、并且配置為支承所述基板；以及

基板加熱構(gòu)件，所述基板加熱構(gòu)件配置為在接觸所述基板的下表面的情況下加熱所述基板的所述下表面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，用防干燥液體在通過使用所述超臨界流體處理的所述基板上形成液膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中，所述基板加熱構(gòu)件將所述基板加熱到所述防干燥液體與所述基板的表面反應(yīng)時(shí)表現(xiàn)出萊頓弗羅斯特效應(yīng)的溫度。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中，所述基板加熱構(gòu)件將所述基板加熱至所述防干燥液體的過渡沸點(diǎn)以上。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中，所述基板加熱構(gòu)件將所述基板加熱至110℃以上。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述腔室加熱器和所述基板加熱構(gòu)件被獨(dú)立地控制。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述基板加熱構(gòu)件具有對(duì)應(yīng)于所述基板的整個(gè)表面的區(qū)域。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述工藝腔室通過上腔室和下腔室的結(jié)合形成，所述下腔室根據(jù)相對(duì)于所述上腔室的向上/向下移動(dòng)而耦合至所述上腔室、并且通過與所述上腔室耦合而形成密封空間，以及

其中，所述基板支承件被耦合至上腔室，并且所述基板加熱構(gòu)件被耦合至下腔室。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，所述裝置還包括：

第一供應(yīng)端口，所述第一供應(yīng)端口連接到第一供應(yīng)管路，所述第一供應(yīng)管路配置為將處理液體供應(yīng)到所述工藝腔室的所述處理空間的、位于所述基板的下部的部分，

其中，所述基板加熱構(gòu)件被設(shè)置在所述第一供應(yīng)端口與所述基板支承件之間，并且阻止所述超臨界流體從所述第一供應(yīng)端口直接噴射到所述基板。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其中，基板加熱器被嵌入所述基板加熱構(gòu)件的內(nèi)部，并且用由所述基板加熱構(gòu)件產(chǎn)生的熱量加熱所述基板。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其中，基板加熱器被提供在所述下腔室的內(nèi)部，所述基板加熱器配置為加熱所述基板加熱構(gòu)件，并且

其中，所述基板加熱構(gòu)件接收由所述基板加熱器產(chǎn)生的熱量并且加熱所述基板。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其中，所述下腔室由不銹鋼材料形成。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置，其中，所述下腔室和所述基板加熱構(gòu)件通過具有設(shè)定導(dǎo)熱率以上的材料而彼此連接。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述基板加熱構(gòu)件由不銹鋼材料形成。

15.一種用于通過使用超臨界流體處理基板的裝置，所述裝置包括：

工藝腔室，所述工藝腔室配置為提供處理空間，并且包括配置為增加所述處理空間的內(nèi)部溫度的腔室加熱器；

基板支承件，所述基板支承件設(shè)置在所述處理空間中并且配置為支承所述基板；以及

升降銷，所述升降銷配置為從所述基板支承件升高和降低所述基板，使得所述基板支承件接觸所述基板、或者使得所述基板支承件與所述基板彼此間隔開，以及

基板加熱構(gòu)件，所述基板加熱構(gòu)件配置為將接觸所述基板支承件的所述基板加熱。