[發明專利]導電圖案結構及其制備方法與圖案化的基底

有效

• 申請號: 202110765342.2
• 申請日: 2021-07-06
• 公開（公告）號: CN113539811B
• 公開（公告）日: 2022-07-15
• 發明（設計）人: 張良靜;王萌;張智滔;龍嘉釗;陳皓弘
• 申請（專利權）人: 深圳技術大學
• 主分類號: H01L21/288
• 分類號: H01L21/288;C09D11/52
• 代理公司: 深圳市嘉勤知識產權代理有限公司 44651
• 代理人: 暢文芬

1.一種導電圖案結構的制備方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底表面的第一預設區域和第二預設區域分別進行第一飛秒激光掃描和第二飛秒激光掃描，所述第一飛秒激光的參數與所述第二飛秒激光的參數不同，通過不同參數的飛秒激光的掃描使所述基底表面形成不同深淺區域，在所述基底表面形成預設三維圖案，得到圖案化的基底；

將至少兩個圖案化的基底層疊設置，形成基底組合件，基底組合件的基底之間形成流道圖案，并且所述流道圖案具有與基底組合件外界連通的進入通道；

將導電墨水與所述進入通道的進口接觸，以使所述導電墨水沿所述進入通道進入流道圖案，并填充至所述流道圖案，固化后形成導電圖案結構。

2.根據權利要求1所述的導電圖案結構的制備方法，其特征在于，所述在所述基底表面的第一預設區域和第二預設區域分別進行第一飛秒激光掃描和第二飛秒激光掃描包括：

將所述基底表面預先劃分為第一預設區域和第二預設區域；

對所述第一預設區域進行所述第一飛秒激光掃描，未被第一飛秒激光掃描到的所述基底表面區域為第二預設區域；

對所述第二預設區域進行所述第二飛秒激光掃描，使所述第二預設區域相對所述第一預設區域向所述基底的外側凸出形成預設三維圖案，其中，第一飛秒激光掃描的掃描次數大于第二飛秒激光掃描的掃描次數。

3.根據權利要求1所述的導電圖案結構的制備方法，其特征在于，所述導電墨水的制備方法包括：

提供聚(3，4～乙烯二氧噻吩)與聚苯乙烯磺酸鹽的水溶液；

向所述水溶液中添加二甲基亞砜，得到半成的配制溶液，其中，所述半成的配制溶液中二甲基亞砜的質量百分數為1％～10％；

再將所述半成的配制溶液與水按質量比1:0.5～2進行混合，超聲分散10～20min之后，得到所述導電墨水。

4.根據權利要求3所述的導電圖案結構的制備方法，其特征在于，所述固化后形成導電圖案結構包括：

將鋪展有所述導電墨水的基底置于90～120℃環境6～10分鐘，使所述導電墨水固化形成導電圖案結構。

5.根據權利要求1所述的導電圖案結構的制備方法，其特征在于，所述第一飛秒激光掃描的工藝參數包括：掃描速度設置為300～500mm/s、波長設置為450～600nm、填充密度設置為0.01mm、功率設置為3000～5000mW和掃描次數設置為3～6次；

所述第二飛秒激光掃描的工藝參數包括：掃描速度為300～500mm/s，波長設置為450～600nm、填充密度設置為0.02mm、功率設置為1500～3000mW、掃描次數設置為1～2次。

6.根據權利要求1所述的導電圖案結構的制備方法，其特征在于，所述預設三維圖案包括陣列排布的多個三維結構單元，所述三維結構單元的截面形狀為正方形、三角形、條紋中的一種或多種；

所述三維結構單元的高度為0.03～0.06mm，所述截面形狀包括長度為0.2～0.4mm的邊。

7.根據權利要求1所述的導電圖案結構的制備方法，其特征在于，所述基底為硅片。

8.一種導電圖案結構，其特征在于，包括基底組合件和導電圖案結構，所述基底組合件包括至少兩個層疊設置的圖案化的基底，每一個所述基底的表面具有第一預設區域和第二預設區域，其中，所述第一預設區域和所述第二預設區域分別通過第一飛秒激光掃描和第二飛秒激光掃描，所述第一飛秒激光的參數與所述第二飛秒激光的參數不同，通過不同參數的飛秒激光的掃描使所述基底表面形成不同深淺區域，在所述基底表面形成預設三維圖案，得到圖案化的基底；

所述基底組合件的基底之間形成流道圖案，所述流道圖案具有與基底組合件外界連通的進入通道，將導電墨水與所述進入通道的進口接觸，以使所述導電墨水沿所述進入通道進入所述流道圖案，并填充至所述流道圖案，固化后形成所述導電圖案結構。