[發明專利]一種應用于微電路系統的厚膜混合集成電路有效
| 申請號: | 202110761238.6 | 申請日: | 2021-07-06 |
| 公開(公告)號: | CN113488461B | 公開(公告)日: | 2022-03-18 |
| 發明(設計)人: | 劉智;梁丁;陳海鵬 | 申請(專利權)人: | 湖南宏微電子技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/01 | 分類號: | H01L27/01 |
| 代理公司: | 北京貴都專利代理事務所(普通合伙) 11649 | 代理人: | 李新鋒 |
| 地址: | 412007 *** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 應用于 電路 系統 混合 集成電路 | ||
本發明提出一種應用于微電路系統的厚膜混合集成電路。所述厚膜混合集成電路包括輸入端、變換端和輸出端;所述微電路系統與所述厚膜混合集成電路通過反饋支路連接。所述反饋支路連接所述輸入端、所述輸出端以及所述微電路系統;所述反饋支路包括功率因素校正電路與輸出保護電路;所述功率因素校正電路連接所述輸出端,用于探測所述輸出端連接的微電路系統的功率,基于所述探測的功率,校正所述輸出保護電路檢測到的輸出電壓;所述變換端包括控制模塊、整流模塊和濾波模塊;所述控制模塊包括開關控制器和變壓器組合單元;所述輸入端與所述控制模塊通過厚膜工藝集成;所述厚膜工藝集成包括:將所述輸入端與所述開關控制器鍵合后組裝。
技術領域
本發明屬于厚膜集成與微電路技術領域,尤其涉及一種應用于微電路系統的厚膜混合集成電路。
背景技術
微電路指具有高密度等效電路元件和(或)部件,并可作為獨立件的微電子器件。厚膜集成電路是指用絲網印刷和燒結等厚膜工藝在同一基片上制作無源網絡,并在其上組裝分立的半導體器件芯片或單片集成電路或微型元件,再外加封裝而成的混合集成電路。厚膜混合集成電路是一種微型電子功能部件。
厚膜集成電路與薄膜混合集成電路相比,厚膜混合集成電路的特點是設計更為靈活、工藝簡便、成本低廉,特別適宜于多品種小批量生產。在電性能上,它能耐受較高的電壓、更大的功率和較大的電流。厚膜微波集成電路的工作頻率可以達到4GHz以上。它適用于各種電路,特別是消費類和工業類電子產品用的模擬電路。帶厚膜網路的基片作為微型印制線路板已得到廣泛的應用。
開關電源是一種重量輕、體積小、高效率的電源,在家電設備、PC電腦、工業機器人、裝甲戰車等國民經濟和國防工業領域都有著廣泛的應用。隨著電子技術的不斷創新和發展,開關電源的性能也在不斷提升,特別是其工作頻率呈現出爆發式的增長,電源向著輕、薄、低干擾、高效率的方向快速發展,為社會生活的電子化、信息化發展做出了重要的推進作用。
DC/DC開關電源的組裝工藝一般可分為:印制電路板組裝工藝和厚膜混合集成組裝工藝。
申請號為CN202110113985.9的中國發明專利申請提出一種DC-DC轉換器的控制方法。所述方法包括:通信模式下,獲取當前通信頻段;判斷所述當前通信頻段是否為預設高風險通信頻段;在所述當前通信頻段為預設高風險通信頻段時,調整所述DC-DC轉換器的時鐘信號相關參數值,以降低所述當前通信頻段的電磁干擾。應用上述方案,可以在降低電磁干擾的同時,兼顧硬件成本及電源效率。
中國授權發明專利CN108962846B提出一種厚膜混合集成電路的封裝結構及其制作方法,本發明技術方案所述厚膜混合集成電路的封裝結構中在厚膜成膜基板上裝配有支架結構,這樣可以同時通過厚膜成膜基板以及支架結構組裝第一類元器件,從而形成3D的封裝結構,增加產品內第一類元器件的組裝面積,提高厚膜混合集成電路產品的組裝密度,便于電子元器件的小型化設計。
在研究文獻方面,可參見如下現有技術介紹:
[1」胡元,鄭文.厚膜混合集成DC/DC模塊電源的可靠性設計,.混合微電子技術,2003(3-4):130-133。
[2]劉穎瀟,林政,張天會.厚膜混合集成電路粘接工藝研究[J].電子世界,2019(18):16-20.
然而,發明人在實踐中發現,現有的厚膜混合集成電路在穩定性、安全性上均有待加強;并且其效率、體積、重量等方面還存在欠缺,與具體的微電路系統的耦合性也需要改進。
發明內容
為解決上述技術問題,本發明提出一種應用于微電路系統的厚膜混合集成電路。
所述微電路系統包括負載網絡;所述負載網絡包括直流負載和交流負載;
所述直流負載包括光伏發電系統和儲能系統;
所述交流負載包括變頻智能家電。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





