[發明專利]量子點器件及其制備方法

在審

• 申請號: 202110756350.0
• 申請日: 2021-07-05
• 公開（公告）號: CN115589740A
• 公開（公告）日: 2023-01-10
• 發明（設計）人: 丘潔龍
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H10K50/115
• 分類號: H10K50/115;H10K50/165;H10K71/00
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 徐世俊

1.一種量子點器件，其特征在于，包括第一電極、第二電極以及設在所述第一電極和所述第二電極之間的疊層，所述疊層包括量子點層以及含有自由基捕獲劑的電子傳輸層，所述量子點層靠近所述第一電極設置，所述電子傳輸層靠近所述第二電極設置。

2.根據權利要求1所述的量子點器件，其特征在于，所述自由基捕獲劑為2，2-二苯基-1-三硝基苯肼、對苯醌、四甲基苯醌、苯基-N-叔丁基硝酮中的至少一種。

3.根據權利要求1所述的量子點器件，其特征在于，所述量子點層為藍光量子點層。

4.根據權利要求1所述的量子點器件，其特征在于，所述量子點層的材料包括量子點，所述量子點選自：Ⅱ-Ⅵ族單組份量子點、核殼結構量子點及合金結構量子點中的至少一種；和/或

Ⅲ-Ⅴ族單組份量子點、核殼結構量子點及合金結構量子點中的至少一種；和/或

有機-無機雜化鈣鈦礦量子點及全無機鈣鈦礦量子點中的至少一種。

5.根據權利要求4所述的量子點器件，其特征在于，所述量子點表面結合有配體，所述量子點表面的配體為有機酸、有機胺、有機膦以及硫醇中的至少一種。

6.根據權利要求1所述的量子點器件，其特征在于，所述電子傳輸層還含有n型納米金屬氧化物，所述n型納米金屬氧化物與所述自由基捕獲劑混合分散于所述電子傳輸層。

7.根據權利要求6所述的量子點器件，其特征在于，所述自由基捕獲劑與所述n型納米金屬氧化物的質量比范圍為1:(50～200)。

8.根據權利要求1所述的量子點器件，其特征在于，所述電子傳輸層由所述自由基捕獲劑和n型納米金屬氧化物組成，所述n型納米金屬氧化物與所述自由基捕獲劑混合分散于所述電子傳輸層，所述自由基捕獲劑與所述n型納米金屬氧化物的質量比例范圍為1:(50～200)。

9.根據權利要求1所述的量子點器件，其特征在于，所述電子傳輸層包括靠近所述量子點層的第一膜層及遠離所述量子點層的第二膜層，其中，所述第一膜層的材料包括所述自由基捕獲劑，所述第二膜層的材料包括n型納米金屬氧化物。

10.根據權利要求1所述的量子點器件，其特征在于，所述電子傳輸層包括靠近所述量子點層的第一膜層及遠離所述量子點層的第二膜層，其中，所述第一膜層的材料由所述自由基捕獲劑組成，所述第二膜層的材料由n型納米金屬氧化物組成，所述第一膜層的厚度為10nm至20nm，所述第二膜層的厚度為20nm至40nm。

11.一種量子點器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

在第一電極上制備量子點層；

在所述量子點層上制備含有自由基捕獲劑的電子傳輸層；

在所述電子傳輸層上制備第二電極，獲得所述量子點器件；

或者，在第二電極上制備包含有自由基捕獲劑的電子傳輸層；

在所述電子傳輸層上制備量子點層；

在所述量子點層上制備第一電極，獲得所述量子點器件。

12.根據權利要求11所述的量子點器件的制備方法，其特征在于，所述在所述量子點層上制備含有自由基捕獲劑的電子傳輸層，包括：

利用溶液法，在所述量子點層上形成所述含有自由基捕獲劑的電子傳輸層；

或者，所述在第二電極上制備包含有自由基捕獲劑的電子傳輸層，包括：

利用溶液法，在所述第二電極上形成所述含有自由基捕獲劑的電子傳輸層。